Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

Част запас: 1378

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

За желание
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

Част запас: 1989

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

За желание
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

Част запас: 2465

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 45A, Мощност - Макс: 170W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

За желание
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

Част запас: 620

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

За желание
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

Част запас: 595

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

За желание
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

Част запас: 549

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

За желание
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

Част запас: 602

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 385W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

Част запас: 625

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

За желание
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

Част запас: 542

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 280W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

За желание
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

Част запас: 1816

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 128A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

За желание
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

Част запас: 541

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 385W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

За желание
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

Част запас: 556

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Dual Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

За желание
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

Част запас: 534

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 280W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

За желание
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

Част запас: 607

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

За желание
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

Част запас: 579

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 208W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

За желание
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

Част запас: 542

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 130A, Мощност - Макс: 780W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

За желание
APTGF150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

Част запас: 560

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 230A, Мощност - Макс: 833W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

За желание
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

Част запас: 5334

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

Част запас: 574

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APT70GR120J
Microsemi Corporation

APT70GR120J

Част запас: 2416

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 112A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

За желание
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

Част запас: 2286

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 84A, Мощност - Макс: 417W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

За желание
APT200GN60J
Microsemi Corporation

APT200GN60J

Част запас: 2197

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 283A, Мощност - Макс: 682W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

За желание
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

Част запас: 578

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

За желание
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

Част запас: 3071

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

За желание
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

Част запас: 594

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

За желание
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

Част запас: 580

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 210A, Мощност - Макс: 1041W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

За желание
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

Част запас: 540

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 135A, Мощност - Макс: 568W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

За желание
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

Част запас: 546

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

За желание
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

Част запас: 581

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 416W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

За желание
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

Част запас: 600

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 210A, Мощност - Макс: 961W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

За желание
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

Част запас: 546

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

За желание
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

Част запас: 585

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

За желание
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

Част запас: 3077

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 42A, Мощност - Макс: 140W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

За желание
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

Част запас: 609

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 90W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

За желание
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

Част запас: 524

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 280W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

За желание
APT150GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

Част запас: 1322

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 215A, Мощност - Макс: 625W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

За желание