Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

APTGT150H170G
Microsemi Corporation

APTGT150H170G

Част запас: 495

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 250A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

За желание
APTGT400A120G
Microsemi Corporation

APTGT400A120G

Част запас: 537

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 560A, Мощност - Макс: 1785W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

За желание
APTCV40H60CT1G
Microsemi Corporation

APTCV40H60CT1G

Част запас: 1640

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTCV60HM45RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM45RT3G

Част запас: 1446

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT300DA170G
Microsemi Corporation

APTGT300DA170G

Част запас: 722

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 1660W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

За желание
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TDU60PG

Част запас: 925

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Triple, Dual - Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT200H120G
Microsemi Corporation

APTGT200H120G

Част запас: 464

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 280A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

За желание
APTGLQ100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ100A120T3AG

Част запас: 797

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 185A, Мощност - Макс: 650W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

За желание
APTGT50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DDA120T3G

Част запас: 1762

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 270W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGT100A120T3AG

Част запас: 1206

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 595W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

За желание
APT75GT120JU3
Microsemi Corporation

APT75GT120JU3

Част запас: 2982

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 416W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание
APTGL180A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGL180A120T3AG

Част запас: 1144

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 230A, Мощност - Макс: 940W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

За желание
APTGL40H120T1G
Microsemi Corporation

APTGL40H120T1G

Част запас: 1697

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 220W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

За желание
APTCV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTCV50H60T3G

Част запас: 1553

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A60D3G

Част запас: 831

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 940W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

За желание
APTGLQ100A120TG
Microsemi Corporation

APTGLQ100A120TG

Част запас: 251

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 170A, Мощност - Макс: 520W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

За желание
APTGT300TL60G
Microsemi Corporation

APTGT300TL60G

Част запас: 570

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 935W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

За желание
APTGL325A120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325A120D3G

Част запас: 634

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 420A, Мощност - Макс: 1500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

За желание
APTGLQ50VDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50VDA65T3G

Част запас: 314

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 175W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

За желание
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50DDA65T3G

Част запас: 232

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 175W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT600A60G
Microsemi Corporation

APTGT600A60G

Част запас: 452

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700A, Мощност - Макс: 2300W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

За желание
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation

APTGT20TL601G

Част запас: 2340

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 32A, Мощност - Макс: 62W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

За желание
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT150TA60PG

Част запас: 689

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 225A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

За желание
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120T1G

Част запас: 2393

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 55A, Мощност - Макс: 208W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

За желание
APTGT450SK60G
Microsemi Corporation

APTGT450SK60G

Част запас: 807

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 550A, Мощност - Макс: 1750W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

За желание
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation

APTGT150TL60G

Част запас: 901

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

За желание
APTGT400SK120G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120G

Част запас: 766

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 560A, Мощност - Макс: 1785W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

За желание
APTGL40X120T3G
Microsemi Corporation

APTGL40X120T3G

Част запас: 1371

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 220W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

За желание
APT40GL120JU2
Microsemi Corporation

APT40GL120JU2

Част запас: 3667

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 220W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

За желание
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation

APTGT150DH170G

Част запас: 707

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 250A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

За желание
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation

APTGT150DH120G

Част запас: 790

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

За желание
APTGT50TDU170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TDU170PG

Част запас: 697

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Triple, Dual - Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 310W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание
APT35GT120JU2
Microsemi Corporation

APT35GT120JU2

Част запас: 3790

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 55A, Мощност - Макс: 260W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

За желание
APTGT50A170TG
Microsemi Corporation

APTGT50A170TG

Част запас: 1356

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100BB60T3G

Част запас: 1239

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

За желание
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A120D3G

Част запас: 570

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 440A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

За желание