Транзистори - IGBT - Модули | Дискретни полупроводникови продукти | 65

APTGT50TL601G

Част запас: 1364

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT100DU170TG

Част запас: 857

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 560W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

За желание

Microsemi Corporation

APT100GT120JU3

Част запас: 2103

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGL180A1202G

Част запас: 876

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 750W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT200TL60G

Част запас: 424

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300A, Мощност - Макс: 652W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF150DU120TG

Част запас: 79

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 961W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT300SK60D3G

Част запас: 713

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 940W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT400A60D3G

Част запас: 530

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT300A60TG

Част запас: 697

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 430A, Мощност - Макс: 935W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT300A170G

Част запас: 353

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 1660W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT50X60T3G

Част запас: 1363

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APT75GT120JRDQ3

Част запас: 1870

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 97A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

За желание

Microsemi Corporation

APT50GF60JU2

Част запас: 3168

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APT150GT120JR

Част запас: 1450

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 170A, Мощност - Макс: 830W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

За желание

Microsemi Corporation

APT75GT120JU2

Част запас: 2315

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 416W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание

Microsemi Corporation

APT65GP60J

Част запас: 2051

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 130A, Мощност - Макс: 431W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A,

За желание

Microsemi Corporation

APT35GP120J

Част запас: 1978

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 64A, Мощност - Макс: 284W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT75TL60T3G

Част запас: 1060

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT600U120D4G

Част запас: 398

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 900A, Мощност - Макс: 2500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

За желание

Microsemi Corporation

APT70GR120JD60

Част запас: 1895

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 112A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT100H60T3G

Част запас: 1009

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT50H60T3G

Част запас: 1227

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT50SK170T1G

Част запас: 1368

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APT45GP120J

Част запас: 2085

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 329W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

За желание

Microsemi Corporation

APT46GA90JD40

Част запас: 2422

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 900V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 87A, Мощност - Макс: 284W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A,

За желание

Microsemi Corporation

APT80GP60J

Част запас: 1872

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 151A, Мощност - Макс: 462W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGT600U170D4G

Част запас: 424

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1100A, Мощност - Макс: 2900W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

За желание

Microsemi Corporation

APT150GN120J

Част запас: 1837

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 215A, Мощност - Макс: 625W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

За желание

STMicroelectronics

A1P35S12M3

Част запас: 99

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 35A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

За желание

STMicroelectronics

A2C35S12M3

Част запас: 105

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 35A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

За желание

STMicroelectronics

A2C25S12M3

Част запас: 36

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Мощност - Макс: 197W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

За желание

STMicroelectronics

A1P25S12M3

Част запас: 116

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Мощност - Макс: 197W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

За желание

STMicroelectronics

A1C15S12M3-F

Част запас: 143

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Мощност - Макс: 142.8W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A,

За желание

STMicroelectronics

A2C25S12M3-F

Част запас: 92

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Мощност - Макс: 197W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

За желание

STMicroelectronics

A2C35S12M3-F

Част запас: 132

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 35A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

За желание

STMicroelectronics

A1P25S12M3-F

Част запас: 182

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Мощност - Макс: 197W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

За желание