Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

4N29W
ON Semiconductor

4N29W

Част запас: 5859

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N273SD
ON Semiconductor

4N273SD

Част запас: 5898

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N28FVM
ON Semiconductor

4N28FVM

Част запас: 2624

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36FVM
ON Semiconductor

4N36FVM

Част запас: 5889

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N33300
ON Semiconductor

4N33300

Част запас: 5923

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N38VM
ON Semiconductor

4N38VM

Част запас: 175258

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

За желание
4N29SD
ON Semiconductor

4N29SD

Част запас: 5825

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N26FM
ON Semiconductor

4N26FM

Част запас: 5870

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N37SD
ON Semiconductor

4N37SD

Част запас: 5842

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N26SD
ON Semiconductor

4N26SD

Част запас: 5878

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N27FR2M
ON Semiconductor

4N27FR2M

Част запас: 5816

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N25300W
ON Semiconductor

4N25300W

Част запас: 2669

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N333S
ON Semiconductor

4N333S

Част запас: 5839

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N25W
ON Semiconductor

4N25W

Част запас: 5857

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N38300
ON Semiconductor

4N38300

Част запас: 5768

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

За желание
4N25SD
ON Semiconductor

4N25SD

Част запас: 5808

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N293S
ON Semiconductor

4N293S

Част запас: 5778

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N37FVM
ON Semiconductor

4N37FVM

Част запас: 2608

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N28SR2M
ON Semiconductor

4N28SR2M

Част запас: 5808

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N37SVM
ON Semiconductor

4N37SVM

Част запас: 5809

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N31300W
ON Semiconductor

4N31300W

Част запас: 5814

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N27TM
ON Semiconductor

4N27TM

Част запас: 5781

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N26M_F132
ON Semiconductor

4N26M_F132

Част запас: 5743

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N30S
ON Semiconductor

4N30S

Част запас: 5821

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N37300
ON Semiconductor

4N37300

Част запас: 5753

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36W
ON Semiconductor

4N36W

Част запас: 5757

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N293SD
ON Semiconductor

4N293SD

Част запас: 5733

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N36FM
ON Semiconductor

4N36FM

Част запас: 5786

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36300
ON Semiconductor

4N36300

Част запас: 5747

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N253S
ON Semiconductor

4N253S

Част запас: 5803

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N323SD
ON Semiconductor

4N323SD

Част запас: 5797

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N32SD
ON Semiconductor

4N32SD

Част запас: 5794

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N26W
ON Semiconductor

4N26W

Част запас: 5762

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N363S
ON Semiconductor

4N363S

Част запас: 5709

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36TVM
ON Semiconductor

4N36TVM

Част запас: 5708

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N27300
ON Semiconductor

4N27300

Част запас: 5713

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание