Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

4N27300W
ON Semiconductor

4N27300W

Част запас: 2642

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N35W
ON Semiconductor

4N35W

Част запас: 5680

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N31W
ON Semiconductor

4N31W

Част запас: 5739

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N373S
ON Semiconductor

4N373S

Част запас: 5669

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N38300W
ON Semiconductor

4N38300W

Част запас: 4341

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

За желание
4N333SD
ON Semiconductor

4N333SD

Част запас: 5650

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N32W
ON Semiconductor

4N32W

Част запас: 5705

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N26300W
ON Semiconductor

4N26300W

Част запас: 5728

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N25SVM
ON Semiconductor

4N25SVM

Част запас: 5680

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N283S
ON Semiconductor

4N283S

Част запас: 2661

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N37VM
ON Semiconductor

4N37VM

Част запас: 181688

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N26FR2VM
ON Semiconductor

4N26FR2VM

Част запас: 5641

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N38S
ON Semiconductor

4N38S

Част запас: 5685

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

За желание
4N27SD
ON Semiconductor

4N27SD

Част запас: 5624

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36SD
ON Semiconductor

4N36SD

Част запас: 5599

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N28FM
ON Semiconductor

4N28FM

Част запас: 5654

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N29S
ON Semiconductor

4N29S

Част запас: 5577

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N29300W
ON Semiconductor

4N29300W

Част запас: 5644

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N25TVM
ON Semiconductor

4N25TVM

Част запас: 110418

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N323S
ON Semiconductor

4N323S

Част запас: 5595

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N303SD
ON Semiconductor

4N303SD

Част запас: 5592

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N38TVM
ON Semiconductor

4N38TVM

Част запас: 136330

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

За желание
4N25FVM
ON Semiconductor

4N25FVM

Част запас: 2635

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N263SD
ON Semiconductor

4N263SD

Част запас: 5578

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N35FVM
ON Semiconductor

4N35FVM

Част запас: 5629

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N28300
ON Semiconductor

4N28300

Част запас: 5596

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N29TM
ON Semiconductor

4N29TM

Част запас: 5550

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N26SVM
ON Semiconductor

4N26SVM

Част запас: 5600

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N32S
ON Semiconductor

4N32S

Част запас: 5613

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N26TM
ON Semiconductor

4N26TM

Част запас: 5557

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N27FM
ON Semiconductor

4N27FM

Част запас: 5559

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36SR2VM
ON Semiconductor

4N36SR2VM

Част запас: 5584

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N31300
ON Semiconductor

4N31300

Част запас: 5528

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N31SD
ON Semiconductor

4N31SD

Част запас: 5615

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N273S
ON Semiconductor

4N273S

Част запас: 5590

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36300W
ON Semiconductor

4N36300W

Част запас: 5528

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание