Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

4N32300
ON Semiconductor

4N32300

Част запас: 5568

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N383S
ON Semiconductor

4N383S

Част запас: 5534

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

За желание
4N35SD
ON Semiconductor

4N35SD

Част запас: 5498

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N373SD
ON Semiconductor

4N373SD

Част запас: 5507

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N27SR2VM
ON Semiconductor

4N27SR2VM

Част запас: 5561

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N263S
ON Semiconductor

4N263S

Част запас: 5541

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N33SD
ON Semiconductor

4N33SD

Част запас: 5493

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N26FR2M
ON Semiconductor

4N26FR2M

Част запас: 5490

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N28300W
ON Semiconductor

4N28300W

Част запас: 5497

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N26VM
ON Semiconductor

4N26VM

Част запас: 5482

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N37FM
ON Semiconductor

4N37FM

Част запас: 5509

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N38W
ON Semiconductor

4N38W

Част запас: 5474

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

За желание
4N35300W
ON Semiconductor

4N35300W

Част запас: 5534

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N303S
ON Semiconductor

4N303S

Част запас: 2546

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N25TM
ON Semiconductor

4N25TM

Част запас: 5451

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N35300
ON Semiconductor

4N35300

Част запас: 5472

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N35FR2M
ON Semiconductor

4N35FR2M

Част запас: 5503

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N27FR2VM
ON Semiconductor

4N27FR2VM

Част запас: 5439

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N26300
ON Semiconductor

4N26300

Част запас: 5507

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36VM
ON Semiconductor

4N36VM

Част запас: 5437

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N35M_F132
ON Semiconductor

4N35M_F132

Част запас: 5481

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N33W
ON Semiconductor

4N33W

Част запас: 5403

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N27TVM
ON Semiconductor

4N27TVM

Част запас: 5470

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N28W
ON Semiconductor

4N28W

Част запас: 5455

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N29300
ON Semiconductor

4N29300

Част запас: 5458

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N28TM
ON Semiconductor

4N28TM

Част запас: 5486

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N27SVM
ON Semiconductor

4N27SVM

Част запас: 2583

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N36FR2M
ON Semiconductor

4N36FR2M

Част запас: 5451

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N33VM
ON Semiconductor

4N33VM

Част запас: 124186

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N25FM
ON Semiconductor

4N25FM

Част запас: 5358

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N25FR2M
ON Semiconductor

4N25FR2M

Част запас: 2593

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N33S
ON Semiconductor

4N33S

Част запас: 5367

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N29TVM
ON Semiconductor

4N29TVM

Част запас: 5330

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 40µs (Max),

За желание
4N32SVM
ON Semiconductor

4N32SVM

Част запас: 5381

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание
4N37W
ON Semiconductor

4N37W

Част запас: 5404

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

За желание
4N32300W
ON Semiconductor

4N32300W

Част запас: 4344

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

За желание