Транзистори - FET, MOSFET - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 1

EPC2105ENGRT

Част запас: 13745

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

Списък с желания

EPC

EPC2100

Част запас: 18949

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Списък с желания

EPC

EPC2104ENGRT

Част запас: 13673

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Списък с желания

EPC

EPC2101ENGRT

Част запас: 13969

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA,

Списък с желания

EPC

EPC2103ENGRT

Част запас: 13895

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Списък с желания

EPC

EPC2111ENGRT

Част запас: 43248

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA,

Списък с желания

EPC

EPC2101ENG

Част запас: 2948

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA,

Списък с желания

EPC

EPC2100ENGRT

Част запас: 14216

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Списък с желания

EPC

EPC2106ENGRT

Част запас: 88131

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA,

Списък с желания

EPC

EPC2102ENGRT

Част запас: 14073

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Списък с желания

EPC

EPC2103

Част запас: 23026

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Списък с желания

EPC

EPC2105

Част запас: 24303

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

Списък с желания

EPC

EPC2100ENG

Част запас: 2900

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Списък с желания

EPC

EPC2105ENG

Част запас: 2911

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

Списък с желания

EPC

EPC2103ENG

Част запас: 2868

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Списък с желания

EPC

EPC2104

Част запас: 24318

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Списък с желания

EPC

EPC2106

Част запас: 24307

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA,

Списък с желания

EPC

EPC2102ENG

Част запас: 2960

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Списък с желания

EPC

EPC2102

Част запас: 24374

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Списък с желания

EPC

EPC2104ENG

Част запас: 2913

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Списък с желания

EPC

EPC2107ENGRT

Част запас: 82626

FET тип: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Списък с желания

EPC

EPC2107

Част запас: 79571

FET тип: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Списък с желания

EPC

EPC2111

Част запас: 48430

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA,

Списък с желания

EPC

EPC2110ENGRT

Част запас: 67578

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 120V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA,

Списък с желания

EPC

EPC2101

Част запас: 21570

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

Списък с желания

EPC

EPC2110

Част запас: 26911

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 120V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA,

Списък с желания

EPC

EPC2108

Част запас: 83651

FET тип: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Списък с желания