Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
MBRTA40040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40040RL

Част запас: 4259

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF40040
GeneSiC Semiconductor

MURF40040

Част запас: 4322

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF20020
GeneSiC Semiconductor

MBRF20020

Част запас: 4217

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60080

Част запас: 4271

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA500200
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500200

Част запас: 4517

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60020
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020

Част запас: 4512

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA800200R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800200R

Част запас: 4309

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60060
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60060

Част запас: 4290

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF40060R
GeneSiC Semiconductor

MURF40060R

Част запас: 4260

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60035RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035RL

Част запас: 4315

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40035RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035RL

Част запас: 5467

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40035L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035L

Част запас: 4257

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF400200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF400200R

Част запас: 4204

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF30020R
GeneSiC Semiconductor

MURF30020R

Част запас: 4240

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA800100
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800100

Част запас: 4261

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF30060R
GeneSiC Semiconductor

MURF30060R

Част запас: 4301

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF30080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30080R

Част запас: 4271

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF50020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50020R

Част запас: 4247

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80030
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030

Част запас: 4236

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF40010
GeneSiC Semiconductor

MURF40010

Част запас: 4266

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT30045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT30045RL

Част запас: 4244

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80040
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040

Част запас: 4266

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA40035L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40035L

Част запас: 4307

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF20030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20030R

Част запас: 4208

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST6360M
GeneSiC Semiconductor

FST6360M

Част запас: 4243

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF60020
GeneSiC Semiconductor

MBRF60020

Част запас: 4460

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF30080
GeneSiC Semiconductor

MBRF30080

Част запас: 4203

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF30020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30020R

Част запас: 4240

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40030L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40030L

Част запас: 4265

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT60040L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60040L

Част запас: 4249

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTL

Част запас: 4183

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040RL

Част запас: 4251

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30040CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTL

Част запас: 4245

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045RL

Част запас: 4298

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST16030L
GeneSiC Semiconductor

FST16030L

Част запас: 4245

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR60040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTRL

Част запас: 4178

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания