Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
MBRT20040
GeneSiC Semiconductor

MBRT20040

Част запас: 1226

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X060A06
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A06

Част запас: 3244

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR40040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTR

Част запас: 1155

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR40045CTS
GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTS

Част запас: 1365

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
GB20SLT12-247D
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247D

Част запас: 5080

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X050A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A200

Част запас: 2947

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST16035
GeneSiC Semiconductor

FST16035

Част запас: 1345

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X120A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A045

Част запас: 2710

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT30040R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30040R

Част запас: 1073

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X030A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A045

Част запас: 3701

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X060A04
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A04

Част запас: 3385

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X080A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A045

Част запас: 3289

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X030A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A100

Част запас: 3572

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X060A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A02

Част запас: 3221

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30035CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTR

Част запас: 1234

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT600200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT600200R

Част запас: 820

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT400100
GeneSiC Semiconductor

MBRT400100

Част запас: 1123

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X080A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A100

Част запас: 3337

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X030A06
GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A06

Част запас: 3768

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR400100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR400100CT

Част запас: 1403

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA600140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600140(A)

Част запас: 673

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 600A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA6001R
GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001R

Част запас: 750

Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA60060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA60060(A)

Част запас: 682

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 600A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA600100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600100(A)

Част запас: 691

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 600A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA60080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080(A)

Част запас: 753

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 600A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40045DL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045DL

Част запас: 877

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA600120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600120(A)

Част запас: 675

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 600A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA6001
GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001

Част запас: 665

Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
GB10SLT12-247D
GeneSiC Semiconductor

GB10SLT12-247D

Част запас: 8816

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF120200
GeneSiC Semiconductor

MBRF120200

Част запас: 4536

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF30020
GeneSiC Semiconductor

MURF30020

Част запас: 4527

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30030CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTRL

Част запас: 4504

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTL

Част запас: 4475

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF12030
GeneSiC Semiconductor

MBRF12030

Част запас: 4508

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF30020
GeneSiC Semiconductor

MBRF30020

Част запас: 4526

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40040RL

Част запас: 4486

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания