Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
FST6345M
GeneSiC Semiconductor

FST6345M

Част запас: 4481

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
UFT14060
GeneSiC Semiconductor

UFT14060

Част запас: 4526

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 70A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 70A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF60030
GeneSiC Semiconductor

MBRF60030

Част запас: 4533

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST7360M
GeneSiC Semiconductor

FST7360M

Част запас: 4501

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 35A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 35A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
UFT10040
GeneSiC Semiconductor

UFT10040

Част запас: 4476

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF600150
GeneSiC Semiconductor

MBRF600150

Част запас: 4503

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA40030L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40030L

Част запас: 4471

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12040R

Част запас: 4537

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF10005R
GeneSiC Semiconductor

MURF10005R

Част запас: 1396

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA800100R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800100R

Част запас: 4485

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80035R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80035R

Част запас: 4529

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF600150R
GeneSiC Semiconductor

MBRF600150R

Част запас: 4506

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST8360SM
GeneSiC Semiconductor

FST8360SM

Част запас: 4484

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80060
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80060

Част запас: 4474

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 780mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST8345M
GeneSiC Semiconductor

FST8345M

Част запас: 6688

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60040RL

Част запас: 4501

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF20035
GeneSiC Semiconductor

MBRF20035

Част запас: 4523

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST6320M
GeneSiC Semiconductor

FST6320M

Част запас: 4482

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST8320SM
GeneSiC Semiconductor

FST8320SM

Част запас: 6733

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF60080
GeneSiC Semiconductor

MBRF60080

Част запас: 4537

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
UFT10005
GeneSiC Semiconductor

UFT10005

Част запас: 4528

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA40040L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40040L

Част запас: 4464

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60020RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020RL

Част запас: 4473

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST7380M
GeneSiC Semiconductor

FST7380M

Част запас: 4506

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 35A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 35A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF20045
GeneSiC Semiconductor

MBRF20045

Част запас: 4475

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF40010R
GeneSiC Semiconductor

MURF40010R

Част запас: 4525

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR60030CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTRL

Част запас: 4475

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT60020L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60020L

Част запас: 4476

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60035L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035L

Част запас: 4289

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40030RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40030RL

Част запас: 4216

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF20060
GeneSiC Semiconductor

MBRF20060

Част запас: 4247

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF30060R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30060R

Част запас: 4285

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF300150
GeneSiC Semiconductor

MBRF300150

Част запас: 4218

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST6310M
GeneSiC Semiconductor

FST6310M

Част запас: 4270

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 10V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST73100M
GeneSiC Semiconductor

FST73100M

Част запас: 4216

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 35A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 35A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF200100
GeneSiC Semiconductor

MBRF200100

Част запас: 4216

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания