Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
MBRTA40020L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40020L

Част запас: 4245

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF12060R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12060R

Част запас: 4275

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40040L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40040L

Част запас: 4258

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA40045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40045RL

Част запас: 4303

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80020L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020L

Част запас: 4233

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF50045R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50045R

Част запас: 4203

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF200200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF200200R

Част запас: 4205

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF60030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60030R

Част запас: 4236

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF60080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60080R

Част запас: 4250

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF40060
GeneSiC Semiconductor

MURF40060

Част запас: 4306

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80080

Част запас: 4293

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80030R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030R

Част запас: 4272

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF12080
GeneSiC Semiconductor

MBRF12080

Част запас: 4189

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045RL

Част запас: 4278

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF60040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60040R

Част запас: 4283

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF50035R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50035R

Част запас: 4245

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR60035CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTL

Част запас: 4205

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF200150
GeneSiC Semiconductor

MBRF200150

Част запас: 4237

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTRL

Част запас: 4163

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA80035L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80035L

Част запас: 4230

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF30040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30040R

Част запас: 4291

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF600100
GeneSiC Semiconductor

MBRF600100

Част запас: 4253

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST6380M
GeneSiC Semiconductor

FST6380M

Част запас: 4208

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF200200
GeneSiC Semiconductor

MBRF200200

Част запас: 4239

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF40005
GeneSiC Semiconductor

MURF40005

Част запас: 4307

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST6315M
GeneSiC Semiconductor

FST6315M

Част запас: 4423

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 15V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045RL

Част запас: 4185

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRTA60030
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030

Част запас: 4230

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST7330M
GeneSiC Semiconductor

FST7330M

Част запас: 4220

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 35A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 35A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
UFT7360M
GeneSiC Semiconductor

UFT7360M

Част запас: 4241

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 70A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 35A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT60045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT60045RL

Част запас: 4186

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST83100M
GeneSiC Semiconductor

FST83100M

Част запас: 6711

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF10060R
GeneSiC Semiconductor

MURF10060R

Част запас: 1343

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST8335SM
GeneSiC Semiconductor

FST8335SM

Част запас: 4418

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF10010R
GeneSiC Semiconductor

MURF10010R

Част запас: 1342

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURF20005
GeneSiC Semiconductor

MURF20005

Част запас: 1290

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания