Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
S400KR
GeneSiC Semiconductor

S400KR

Част запас: 2009

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 400A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SD4145
GeneSiC Semiconductor

SD4145

Част запас: 6509

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 680mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FR12M05
GeneSiC Semiconductor

FR12M05

Част запас: 9525

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания
S85YR
GeneSiC Semiconductor

S85YR

Част запас: 7151

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 85A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

Част запас: 28962

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 1A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания
GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

Част запас: 37909

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 1A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 1A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

Част запас: 1555

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания
S40Q
GeneSiC Semiconductor

S40Q

Част запас: 7175

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 40A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FR85JR02
GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

Част запас: 5989

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 85A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

Списък с желания
FR70G02
GeneSiC Semiconductor

FR70G02

Част запас: 9642

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 70A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 70A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

Част запас: 2856

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания
S300YR
GeneSiC Semiconductor

S300YR

Част запас: 1824

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S40B
GeneSiC Semiconductor

S40B

Част запас: 11196

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 40A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

Част запас: 17999

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 2A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

Част запас: 4212

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 80A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FR30J02
GeneSiC Semiconductor

FR30J02

Част запас: 7131

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

Част запас: 2177

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S85VR
GeneSiC Semiconductor

S85VR

Част запас: 7084

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1400V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 85A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

Част запас: 4392

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 35A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 35A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FR85JR05
GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

Част запас: 5997

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 85A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания
S85Q
GeneSiC Semiconductor

S85Q

Част запас: 7124

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 85A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S40KR
GeneSiC Semiconductor

S40KR

Част запас: 8348

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 40A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FR40G02
GeneSiC Semiconductor

FR40G02

Част запас: 7130

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

Част запас: 2457

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

Част запас: 1505

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

Част запас: 2179

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

Част запас: 771

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 50A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

Част запас: 7134

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

Част запас: 7177

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

Част запас: 1373

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

Част запас: 7175

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 70A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 70A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
FR30G02
GeneSiC Semiconductor

FR30G02

Част запас: 7099

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
S85JR
GeneSiC Semiconductor

S85JR

Част запас: 7155

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 85A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR3545
GeneSiC Semiconductor

MBR3545

Част запас: 4428

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 35A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 680mV @ 35A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S300Y
GeneSiC Semiconductor

S300Y

Част запас: 1833

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S85J
GeneSiC Semiconductor

S85J

Част запас: 7670

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 85A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания