Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 2A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,
Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,
Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 3300V, Ток - средно коригиран (Io): 300mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 300mA, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,
Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 1A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,
Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 2.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 1A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,
Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 2A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,
Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 2A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,
Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,