Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 21

MBR8045

Част запас: 4200

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 80A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

Част запас: 2354

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

Част запас: 7100

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

Част запас: 2289

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

Част запас: 2377

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

Част запас: 5676

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

Част запас: 6031

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 85A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

Част запас: 7147

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

Част запас: 6017

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 85A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 85A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

Част запас: 2356

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

Част запас: 2350

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 70A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 70A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 110ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

Част запас: 2334

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

Част запас: 2296

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

Част запас: 2318

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

Част запас: 5231

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 300A,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

Част запас: 2307

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

Част запас: 2242

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

Част запас: 2232

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

Част запас: 311

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 8000V, Ток - средно коригиран (Io): 50mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 4.6V @ 50mA, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

Част запас: 2319

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

Част запас: 2265

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

Част запас: 2239

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

Част запас: 2328

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

Част запас: 2310

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

Част запас: 2284

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

Част запас: 2270

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

Част запас: 2239

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

Част запас: 5225

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

Част запас: 2278

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

Част запас: 2301

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

Част запас: 2249

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

Част запас: 2239

Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

Част запас: 2267

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

Част запас: 10367

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 6A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

Част запас: 20747

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 1A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

Част запас: 5683

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 3300V, Ток - средно коригиран (Io): 300mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.2V @ 300mA, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания