Транзистори - FET, MOSFET - единични

IRFB42N20DPBF

Част запас: 21953

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 26A, 10V,

IPC60R280E6UNSAWNX6SA1

Част запас: 6256

IPS050N03LGBKMA1

Част запас: 2175

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

IPC90R800C3X1SA1

Част запас: 54583

IPS80R600P7AKMA1

Част запас: 40043

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

IPB04N03LAT

Част запас: 2375

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 55A, 10V,

IRL3705NSTRLPBF

Част запас: 60611

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 89A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 46A, 10V,

IPP048N12N3GXKSA1

Част запас: 6253

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 120V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 100A, 10V,

IRFC4127ED

Част запас: 2120

IPD50R520CPBTMA1

Част запас: 102116

IRLR2905ZPBF

Част запас: 65994

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 36A, 10V,

IRFI1010NPBF

Част запас: 37816

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 49A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 26A, 10V,

IRFI4228PBF

Част запас: 24384

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

IRF1405ZLPBF

Част запас: 21340

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

IPZ60R037P7XKSA1

Част запас: 5690

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 29.5A, 10V,

IRFC4368D

Част запас: 2108

IPT012N08N5ATMA1

Част запас: 18959

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 300A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 150A, 10V,

IPC60R380C6X7SA1

Част запас: 2250

IPSA70R450P7SAKMA1

Част запас: 7864

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 700V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.3A, 10V,

IRF7324D1TRPBF

Част запас: 78761

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

IRL7833STRLPBF

Част запас: 76525

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 38A, 10V,

IRLR3105TRPBF

Част запас: 178996

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 15A, 10V,

IRF640NLPBF

Част запас: 39242

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 11A, 10V,

IRLR2908TRPBF

Част запас: 146805

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 23A, 10V,

IPC60N04S406ATMA1

Част запас: 2054

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

IPC95R1K2P7X7SA1

Част запас: 6331

IPP70P04P409AKSA1

Част запас: 2117

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 72A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 70A, 10V,

SPP06N80C3XK

Част запас: 2345

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.8A, 10V,

IPI80N07S405AKSA1

Част запас: 2309

IRFR7540PBF

Част запас: 39033

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 66A, 10V,

IRF6215PBF

Част запас: 47258

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

IPP072N10N3GXKSA1

Част запас: 39881

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 80A, 10V,

IPD60R450E6ATMA1

Част запас: 101179

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 3.4A, 10V,

IPB65R225C7ATMA1

Част запас: 51664

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 4.8A, 10V,

IRFP4710PBF

Част запас: 22592

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 72A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 45A, 10V,

IPP093N06N3GHKSA1

Част запас: 1979

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,