Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
IPP60R1K4C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R1K4C6XKSA1

Част запас: 73244

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V,

Списък с желания
IPU60R600C6AKMA1
Infineon Technologies

IPU60R600C6AKMA1

Част запас: 128352

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

Списък с желания
IRF2204PBF
Infineon Technologies

IRF2204PBF

Част запас: 31347

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 210A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 130A, 10V,

Списък с желания
IRFP044NPBF
Infineon Technologies

IRFP044NPBF

Част запас: 40108

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 29A, 10V,

Списък с желания
IRFS3307ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFS3307ZTRLPBF

Част запас: 50972

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

Списък с желания
IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP06CN10NGXKSA1

Част запас: 1949

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания
IPD60R650CEATMA1
Infineon Technologies

IPD60R650CEATMA1

Част запас: 1940

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 2.4A, 10V,

Списък с желания
IPD80R2K8CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD80R2K8CEBTMA1

Част запас: 1874

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.9A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V,

Списък с желания
IRF2804STRLPBF
Infineon Technologies

IRF2804STRLPBF

Част запас: 41497

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

Списък с желания
IPU80R2K8CEBKMA1
Infineon Technologies

IPU80R2K8CEBKMA1

Част запас: 1856

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.9A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V,

Списък с желания
IRFS7530-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS7530-7PPBF

Част запас: 14416

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания
SPI11N65C3HKSA1
Infineon Technologies

SPI11N65C3HKSA1

Част запас: 2039

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Списък с желания
IRFH7188TRPBF
Infineon Technologies

IRFH7188TRPBF

Част запас: 1906

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), 105A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
IPU60R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies

IPU60R1K0CEBKMA1

Част запас: 1979

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Списък с желания
IPP147N12N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP147N12N3GXKSA1

Част запас: 9819

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 120V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 56A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 56A, 10V,

Списък с желания
IRFS7434PBF
Infineon Technologies

IRFS7434PBF

Част запас: 1871

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания
IPS65R1K5CEAKMA1
Infineon Technologies

IPS65R1K5CEAKMA1

Част запас: 110997

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.1A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1A, 10V,

Списък с желания
IRFH7191TRPBF
Infineon Technologies

IRFH7191TRPBF

Част запас: 65161

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 48A, 10V,

Списък с желания
IPB65R045C7ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R045C7ATMA1

Част запас: 9205

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 46A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.9A, 10V,

Списък с желания
IRF8327STR1PBF
Infineon Technologies

IRF8327STR1PBF

Част запас: 1809

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 14A, 10V,

Списък с желания
IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R255P6AUMA1

Част запас: 60011

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15.9A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255 mOhm @ 6.4A, 10V,

Списък с желания
IRFR2407TRPBF
Infineon Technologies

IRFR2407TRPBF

Част запас: 115801

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
IPD60R2K1CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD60R2K1CEBTMA1

Част запас: 197598

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 760mA, 10V,

Списък с желания
IRFS3207ZTRRPBF
Infineon Technologies

IRFS3207ZTRRPBF

Част запас: 44389

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V,

Списък с желания
IRL40B209
Infineon Technologies

IRL40B209

Част запас: 23076

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания
IPA65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPA65R190CFDXKSA1

Част запас: 10207

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Списък с желания
IPD80R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD80R1K4CEBTMA1

Част запас: 1916

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.9A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V,

Списък с желания
IRFS7434-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS7434-7PPBF

Част запас: 1800

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания
IPP80N04S2H4AKSA2
Infineon Technologies

IPP80N04S2H4AKSA2

Част запас: 6274

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
IRLS3813PBF
Infineon Technologies

IRLS3813PBF

Част запас: 53058

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 148A, 10V,

Списък с желания
IPD60R400CEATMA1
Infineon Technologies

IPD60R400CEATMA1

Част запас: 156972

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.8A, 10V,

Списък с желания
IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R1K4P7XKSA1

Част запас: 50856

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V,

Списък с желания
SPP11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies

SPP11N60CFDHKSA1

Част запас: 2007

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7A, 10V,

Списък с желания
IRFR4104TRPBF
Infineon Technologies

IRFR4104TRPBF

Част запас: 88373

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V,

Списък с желания
IPS70R600CEAKMA1
Infineon Technologies

IPS70R600CEAKMA1

Част запас: 2004

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 700V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1A, 10V,

Списък с желания
IRFP4310ZPBF
Infineon Technologies

IRFP4310ZPBF

Част запас: 20438

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

Списък с желания