Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
SPB80N03S2L-06 G
Infineon Technologies

SPB80N03S2L-06 G

Част запас: 195

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
SPP80N06S2-07
Infineon Technologies

SPP80N06S2-07

Част запас: 260

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 68A, 10V,

Списък с желания
IRFZ44ZLPBF
Infineon Technologies

IRFZ44ZLPBF

Част запас: 37261

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

Списък с желания
SPD30N08S2L-21
Infineon Technologies

SPD30N08S2L-21

Част запас: 273

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
IPB070N06L G
Infineon Technologies

IPB070N06L G

Част запас: 227

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
IRF6644TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6644TR1PBF

Част запас: 140

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10.3A (Ta), 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10.3A, 10V,

Списък с желания
SPD04N60S5
Infineon Technologies

SPD04N60S5

Част запас: 5692

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

Списък с желания
IPP07N03LB G
Infineon Technologies

IPP07N03LB G

Част запас: 6014

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
IPB110N06L G
Infineon Technologies

IPB110N06L G

Част запас: 248

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 78A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 78A, 10V,

Списък с желания
IRF6691TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6691TR1PBF

Част запас: 123

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 180A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SPP100N08S2L-07
Infineon Technologies

SPP100N08S2L-07

Част запас: 232

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 68A, 10V,

Списък с желания
IPI45N06S3L-13
Infineon Technologies

IPI45N06S3L-13

Част запас: 120

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 26A, 10V,

Списък с желания
SPB08P06P
Infineon Technologies

SPB08P06P

Част запас: 172

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V,

Списък с желания
IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies

IPD135N03LGATMA1

Част запас: 16519

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SPU03N60S5BKMA1
Infineon Technologies

SPU03N60S5BKMA1

Част запас: 106624

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V,

Списък с желания
IPS06N03LA G
Infineon Technologies

IPS06N03LA G

Част запас: 128

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
IPF04N03LA G
Infineon Technologies

IPF04N03LA G

Част запас: 121

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
SPB80N08S2L-07
Infineon Technologies

SPB80N08S2L-07

Част запас: 6094

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 67A, 10V,

Списък с желания
IPS20N03L G
Infineon Technologies

IPS20N03L G

Част запас: 206

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Ta),

Списък с желания
SPD02N80C3BTMA1
Infineon Technologies

SPD02N80C3BTMA1

Част запас: 247

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V,

Списък с желания
IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies

IPB050N06NGATMA1

Част запас: 258

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания
IPP06CNE8N G
Infineon Technologies

IPP06CNE8N G

Част запас: 109

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 85V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания
IRF6611TRPBF
Infineon Technologies

IRF6611TRPBF

Част запас: 51

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 150A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 27A, 10V,

Списък с желания
SPB80N03S203GATMA1
Infineon Technologies

SPB80N03S203GATMA1

Част запас: 184

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
IPP80N06S3L-06
Infineon Technologies

IPP80N06S3L-06

Част запас: 142

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 56A, 10V,

Списък с желания
IPI80N06S3-05
Infineon Technologies

IPI80N06S3-05

Част запас: 6039

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 63A, 10V,

Списък с желания
SPD04N80C3BTMA1
Infineon Technologies

SPD04N80C3BTMA1

Част запас: 327

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V,

Списък с желания
SPP04N60S5BKSA1
Infineon Technologies

SPP04N60S5BKSA1

Част запас: 284

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

Списък с желания
IPB03N03LB
Infineon Technologies

IPB03N03LB

Част запас: 146

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 55A, 10V,

Списък с желания
IRF6619TRPBF
Infineon Technologies

IRF6619TRPBF

Част запас: 6039

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), 150A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SPN04N60S5
Infineon Technologies

SPN04N60S5

Част запас: 270

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 800mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

Списък с желания
IRFB4310PBF
Infineon Technologies

IRFB4310PBF

Част запас: 23414

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 130A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Списък с желания
SPI80N08S2-07R
Infineon Technologies

SPI80N08S2-07R

Част запас: 269

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
IPD144N06NGBTMA1
Infineon Technologies

IPD144N06NGBTMA1

Част запас: 263

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
IPD30N06S215ATMA2
Infineon Technologies

IPD30N06S215ATMA2

Част запас: 147813

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
IPB085N06L G
Infineon Technologies

IPB085N06L G

Част запас: 260

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания