Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
IPS13N03LA G
Infineon Technologies

IPS13N03LA G

Част запас: 154

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
IPI25N06S3-25
Infineon Technologies

IPI25N06S3-25

Част запас: 104

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SPI80N06S2L-11
Infineon Technologies

SPI80N06S2L-11

Част запас: 6034

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания
SPI47N10L
Infineon Technologies

SPI47N10L

Част запас: 6100

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V,

Списък с желания
IRFL024ZTRPBF
Infineon Technologies

IRFL024ZTRPBF

Част запас: 190570

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.1A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5 mOhm @ 3.1A, 10V,

Списък с желания
IPP080N06N G
Infineon Technologies

IPP080N06N G

Част запас: 124

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
IPB25N06S3L-22
Infineon Technologies

IPB25N06S3L-22

Част запас: 132

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3 mOhm @ 17A, 10V,

Списък с желания
SPI80N06S2L-05
Infineon Technologies

SPI80N06S2L-05

Част запас: 292

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
IPD90N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies

IPD90N03S4L03ATMA1

Част запас: 145328

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 90A, 10V,

Списък с желания
IPD640N06LGBTMA1
Infineon Technologies

IPD640N06LGBTMA1

Част запас: 264

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 18A, 10V,

Списък с желания
IRFS3206PBF
Infineon Technologies

IRFS3206PBF

Част запас: 22234

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V,

Списък с желания
IRF6626TRPBF
Infineon Technologies

IRF6626TRPBF

Част запас: 81

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), 72A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 16A, 10V,

Списък с желания
SPP80N06S2L-07
Infineon Technologies

SPP80N06S2L-07

Част запас: 6041

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

Списък с желания
IRF6668TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6668TR1PBF

Част запас: 6059

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 55A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V,

Списък с желания
IPC100N04S51R9ATMA1
Infineon Technologies

IPC100N04S51R9ATMA1

Част запас: 142396

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
IPB05N03LAT
Infineon Technologies

IPB05N03LAT

Част запас: 91

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 55A, 10V,

Списък с желания
SPA07N65C3XKSA1
Infineon Technologies

SPA07N65C3XKSA1

Част запас: 48944

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

Списък с желания
IPI05N03LA
Infineon Technologies

IPI05N03LA

Част запас: 6062

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 55A, 10V,

Списък с желания
IPF09N03LA G
Infineon Technologies

IPF09N03LA G

Част запас: 188

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
IPP04N03LB G
Infineon Technologies

IPP04N03LB G

Част запас: 6063

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 55A, 10V,

Списък с желания
IPU05N03LA G
Infineon Technologies

IPU05N03LA G

Част запас: 171

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
IPU04N03LA
Infineon Technologies

IPU04N03LA

Част запас: 142

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
SPI20N60C3XKSA1
Infineon Technologies

SPI20N60C3XKSA1

Част запас: 25254

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20.7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

Списък с желания
SPD01N60C3BTMA1
Infineon Technologies

SPD01N60C3BTMA1

Част запас: 285

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 800mA (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания
IPB11N03LA G
Infineon Technologies

IPB11N03LA G

Част запас: 166

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
IPP10N03LB G
Infineon Technologies

IPP10N03LB G

Част запас: 144

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
IPDH5N03LA G
Infineon Technologies

IPDH5N03LA G

Част запас: 146

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies

IPW60R075CPFKSA1

Част запас: 286

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 39A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 26A, 10V,

Списък с желания
IPP25N06S325XK
Infineon Technologies

IPP25N06S325XK

Част запас: 111

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
IPU10N03LA
Infineon Technologies

IPU10N03LA

Част запас: 193

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SPB80N06S08ATMA1
Infineon Technologies

SPB80N06S08ATMA1

Част запас: 203

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
SPB100N03S2-03 G
Infineon Technologies

SPB100N03S2-03 G

Част запас: 6108

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
IPB45N06S3L-13
Infineon Technologies

IPB45N06S3L-13

Част запас: 270

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1 mOhm @ 26A, 10V,

Списък с желания
IPD90N03S4L02ATMA1
Infineon Technologies

IPD90N03S4L02ATMA1

Част запас: 16598

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V,

Списък с желания
SPP47N10
Infineon Technologies

SPP47N10

Част запас: 227

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 33A, 10V,

Списък с желания
SPU30N03S2-08
Infineon Technologies

SPU30N03S2-08

Част запас: 227

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания