Диоди - Изправители - единични

IDH04G65C5XKSA1

Част запас: 1650

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 4A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA1

Част запас: 1661

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDW40G65C5FKSA1

Част запас: 3993

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 40A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 40A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDB09E60ATMA1

Част запас: 1517

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 19.3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 9A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

IDV04S60CXKSA1

Част запас: 1551

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 4A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDY15S120XKSA1

Част запас: 1556

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 7.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDP04E120

Част запас: 1480

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 11.2A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.15V @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 115ns,

IDP23E60

Част запас: 1484

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 41A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 23A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

IDD03E60BUMA1

Част запас: 1500

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 7.3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 62ns,

IDW20G65C5FKSA1

Част запас: 1234

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 20A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

HFA15TB60PBF

Част запас: 44119

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 60ns,

IDL06G65C5XUMA1

Част запас: 1396

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 6A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDB18E120ATMA1

Част запас: 1262

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 31A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.15V @ 18A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 195ns,

IDH16G65C5XKSA1

Част запас: 1262

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 16A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 16A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDT05S60CHKSA1

Част запас: 1377

IRD3CH9DF6

Част запас: 1391

IDH05G65C5XKSA1

Част запас: 1235

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IRD3CH53DD6

Част запас: 1378

IDY10S120XKSA1

Част запас: 1261

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDD04S60CBUMA1

Част запас: 1318

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 5.6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 4A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDT04S60CHKSA1

Част запас: 1373

IDW10S120FKSA1

Част запас: 1361

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IRD3CH11DD6

Част запас: 1353

SDP06S60

Част запас: 1035

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 6A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDH02G120C5XKSA1

Част запас: 23390

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.65V @ 2A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDM02G120C5XTMA1

Част запас: 49472

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.65V @ 2A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

SIDC26D60C6

Част запас: 5159

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC06D60AC6X1SA1

Част запас: 1106

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 20A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.95V @ 20A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC24D30SIC3

Част запас: 1116

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

SDP10S30

Част запас: 5134

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

SIDC06D120H6X1SA4

Част запас: 1137

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 7.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 7.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH08SG60CXKSA1

Част запас: 868

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.1V @ 8A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA1

Част запас: 873

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDD10SG60CXTMA1

Част запас: 815

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.1V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDD09SG60CXTMA1

Част запас: 852

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 9A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.1V @ 9A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDV03S60CXKSA1

Част запас: 868

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,