Диоди - Изправители - единични

D2700U45X122XOSA1

Част запас: 287

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 4500V, Ток - средно коригиран (Io): 2900A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

Част запас: 324

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 9000V, Ток - средно коригиран (Io): 1790A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 5.5V @ 4000A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

Част запас: 307

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 4500V, Ток - средно коригиран (Io): 2380A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 2500A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

Част запас: 304

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 8500V, Ток - средно коригиран (Io): 3040A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

Част запас: 5330

IDP45E60XKSA1

Част запас: 38822

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 71A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 45A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

Част запас: 34916

IDK04G65C5XTMA1

Част запас: 2364

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 4A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

Част запас: 2397

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

Част запас: 9090

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 16A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 16A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

Част запас: 2378

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

Част запас: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

Част запас: 1902

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 42A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.1V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

Част запас: 2407

IRD3CH101DD6

Част запас: 2319

IDW40E65D2FKSA1

Част запас: 30469

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 80A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

Част запас: 2356

IRD3CH16DB6

Част запас: 2357

IRD3CH5BD6

Част запас: 5238

IDC08S60CEX1SA3

Част запас: 2424

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 8A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

Част запас: 10387

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.95V @ 8A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

Част запас: 2297

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 2A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 2A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

Част запас: 7574

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 20A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

Част запас: 2364

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 12A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 12A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

Част запас: 2327

IDB10S60CATMA2

Част запас: 5332

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

Част запас: 2339

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 75A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 75A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

Част запас: 2324

IRD3CH11DB6

Част запас: 2369

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 25A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

Част запас: 2324

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 8A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 8A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

Част запас: 5234

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

Част запас: 68501

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

Част запас: 2296

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

Част запас: 2355

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 4A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

Част запас: 2298

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 3A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

Част запас: 2285

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,