Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 11

BCX42E6327HTSA1

Част запас: 146720

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 125V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC857CE6327HTSA1

Част запас: 182394

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC847CE6327HTSA1

Част запас: 118331

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC849BE6327HTSA1

Част запас: 189303

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC859CE6327HTSA1

Част запас: 124544

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCW68HE6327HTSA1

Част запас: 185313

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX70JE6327HTSA1

Част запас: 111402

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX41E6327HTSA1

Част запас: 127310

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 125V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC857BE6327HTSA1

Част запас: 111224

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX70KE6327HTSA1

Част запас: 146828

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV47E6327HTSA1

Част запас: 107885

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC817K40E6433HTMA1

Част запас: 134093

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC847AE6327HTSA1

Част запас: 151307

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC847BE6327HTSA1

Част запас: 175591

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC817K25E6327HTSA1

Част запас: 108181

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX6925H6327XTSA1

Част запас: 189824

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX6910H6327XTSA1

Част запас: 147038

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX6916H6327XTSA1

Част запас: 190746

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BSP51H6327XTSA1

Част запас: 4804

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX6825H6327XTSA1

Част запас: 102758

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX6816H6327XTSA1

Част запас: 119278

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX6810H6327XTSA1

Част запас: 181797

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV49H6327XTSA1

Част запас: 186604

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV29H6327XTSA1

Част запас: 183901

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV28H6327XTSA1

Част запас: 111139

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV48H6327XTSA1

Част запас: 110569

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BFN19H6327XTSA1

Част запас: 195116

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BFN18H6327XTSA1

Част запас: 147928

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5516H6327XTSA1

Част запас: 139597

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX55H6327XTSA1

Част запас: 134181

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX52H6327XTSA1

Част запас: 119451

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX53H6327XTSA1

Част запас: 194967

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5616H6433XTMA1

Част запас: 152849

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5416H6327XTSA1

Част запас: 158312

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5316H6433XTMA1

Част запас: 136941

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX51H6327XTSA1

Част запас: 136404

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Списък с желания