Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 11

BCX5216H6327XTSA1

Част запас: 166301

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5616H6327XTSA1

Част запас: 165579

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5610H6327XTSA1

Част запас: 170614

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5516H6433XTMA1

Част запас: 146212

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX56H6327XTSA1

Част запас: 163521

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5116H6433XTMA1

Част запас: 198580

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5310H6327XTSA1

Част запас: 177721

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5116H6327XTSA1

Част запас: 125460

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5316H6327XTSA1

Част запас: 157660

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX5216H6433XTMA1

Част запас: 185398

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX42E6433HTMA1

Част запас: 142226

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 125V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BFN26E6327HTSA1

Част запас: 148754

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC847BL3E6327XTMA1

Част запас: 107829

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC848BL3E6327XTMA1

Част запас: 188958

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC857BL3E6327XTMA1

Част запас: 119538

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX41E6433HTMA1

Част запас: 163211

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 125V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BFN24E6327HTSA1

Част запас: 134283

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV46E6327HTSA1

Част запас: 127114

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV27E6327HTSA1

Част запас: 160159

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV47E6433HTMA1

Част запас: 127913

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCV26E6327HTSA1

Част запас: 113386

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC817K16WH6327XTSA1

Част запас: 198915

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCW66KHE6327HTSA1

Част запас: 102053

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX71JE6327HTSA1

Част запас: 126835

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC817K40E6327HTSA1

Част запас: 131545

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BFN27E6327HTSA1

Част запас: 182291

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCX71KE6327HTSA1

Част запас: 104931

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC817K16E6327HTSA1

Част запас: 157813

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC847CWH6778XTSA1

Част запас: 132793

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC857BWH6778XTSA1

Част запас: 135347

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BC817K25WH6433XTMA1

Част запас: 196059

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCW66KGE6327HTSA1

Част запас: 160893

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCW68GE6327HTSA1

Част запас: 151048

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCW67BE6327HTSA1

Част запас: 118170

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCW68FE6327HTSA1

Част запас: 155759

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Infineon Technologies

BCW67CE6327HTSA1

Част запас: 158142

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Списък с желания