Транзистори - биполярни (BJT) - масиви

У дома
Транзистори - биполярни (BJT) - масиви

Microsemi Corporation

2N2919U

Част запас: 1529

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N3810U

Част запас: 2166

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N2060L

Част запас: 2121

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N6987

Част запас: 1248

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N6988

Част запас: 1523

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N2919L

Част запас: 2004

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N2920U

Част запас: 161

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N3838

Част запас: 1633

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N2920L

Част запас: 2061

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N6990

Част запас: 1262

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N5795

Част запас: 1968

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N2920

Част запас: 2258

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N3810L

Част запас: 4091

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N2919

Част запас: 2136

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N3810

Част запас: 3259

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N6989

Част запас: 4437

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N3811L

Част запас: 4456

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N3811U

Част запас: 4453

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N3811

Част запас: 4521

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

Част запас: 1050

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2013J-883B

Част запас: 1020

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

Част запас: 4491

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

Част запас: 4488

Тип транзистор: 8 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N6988

Част запас: 4551

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

Част запас: 4513

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2003J-883B

Част запас: 4460

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

Част запас: 1613

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N2919L

Част запас: 1921

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N6987

Част запас: 1383

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

Част запас: 1675

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N6987

Част запас: 1284

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

Част запас: 163

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

Част запас: 1620

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

Част запас: 301

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

Част запас: 980

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N2060L

Част запас: 1262

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

89

«
1
2
3
»