Транзистори - биполярни (BJT) - масиви

У дома
Транзистори - биполярни (BJT) - масиви

Microsemi Corporation

JANTX2N2919L

Част запас: 1721

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060L

Част запас: 835

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920L

Част запас: 1532

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N2920L

Част запас: 1944

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N4854U

Част запас: 4433

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N5796U

Част запас: 4445

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANS2N2920

Част запас: 617

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N6989

Част запас: 1252

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3811

Част запас: 4496

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3811L

Част запас: 4476

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060

Част запас: 4482

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N5794U

Част запас: 4450

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2003J

Част запас: 4422

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811

Част запас: 4485

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2803J-DESC

Част запас: 4457

Тип транзистор: 8 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N6989

Част запас: 1403

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N5794

Част запас: 4465

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2023J-DESC

Част запас: 4587

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 95V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810U

Част запас: 1474

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2823J-883B

Част запас: 4475

Тип транзистор: 8 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 95V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3811U

Част запас: 4430

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N6989U

Част запас: 4522

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N4854

Част запас: 586

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N6989

Част запас: 1489

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N6990

Част запас: 4451

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

SG2823J

Част запас: 4440

Тип транзистор: 8 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 95V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N2920U

Част запас: 1510

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N6988

Част запас: 1211

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919

Част запас: 1627

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N2919U

Част запас: 1524

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919U

Част запас: 1139

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N5794

Част запас: 231

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N6990

Част запас: 1554

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3810L

Част запас: 2505

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N2920L

Част запас: 4518

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920U

Част запас: 4499

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

89

«
1
2
3
»