Транзистори - FET, MOSFET - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 7

APTM50DUM25TG

Част запас: 2781

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 149A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50DUM35TG

Част запас: 2820

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 99A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50DUM19G

Част запас: 2832

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 163A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50DUM17G

Част запас: 2758

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50DSKM65T3G

Част запас: 3279

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50DHM75TG

Част запас: 2739

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50DSK10T3G

Част запас: 2805

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 37A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50DHM65TG

Част запас: 3354

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM25FTG

Част запас: 2755

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 149A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM70FT1G

Част запас: 2771

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50A15FT1G

Част запас: 2761

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM19STG

Част запас: 2747

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 85A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

Част запас: 2803

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20TDUM16PG

Част запас: 2825

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20DUM05TG

Част запас: 2827

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 333A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20DHM10G

Част запас: 2785

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20DHM16TG

Част запас: 2733

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20DHM08G

Част запас: 2824

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20AM05FTG

Част запас: 2762

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 333A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120TDU57PG

Част запас: 2732

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120H57FT3G

Част запас: 2766

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120DU29TG

Част запас: 2792

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120DSK57T3G

Част запас: 2791

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120A80FT1G

Част запас: 2744

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120DDA57T3G

Част запас: 2827

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120A65FT1G

Част запас: 2750

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10TDUM19PG

Част запас: 2820

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10TDUM09PG

Част запас: 2746

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10HM09FTG

Част запас: 2809

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10DUM05TG

Част запас: 2783

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 278A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10DHM09TG

Част запас: 2789

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10DDAM19T3G

Част запас: 2824

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100TDU35PG

Част запас: 2796

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10DDAM09T3G

Част запас: 2768

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100DUM90G

Част запас: 2758

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100H80FT1G

Част запас: 2809

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Списък с желания