Транзистори - FET, MOSFET - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 7

APTM20DUM05G

Част запас: 536

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 317A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

Част запас: 731

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

Част запас: 766

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 99A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

Част запас: 767

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

Част запас: 533

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

Част запас: 1743

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

Част запас: 448

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 99A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

Част запас: 2026

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

Част запас: 1204

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Super Junction, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

Част запас: 712

FET тип: 2 N Channel (Phase Leg), Функция FET: Super Junction, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

Част запас: 306

FET тип: 4 N-Channel, Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

Част запас: 1671

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 37A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

Част запас: 461

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120A15FG

Част запас: 396

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

Част запас: 936

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

Част запас: 423

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

Част запас: 488

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 495A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

Част запас: 196

FET тип: 2 N Channel (Phase Leg), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1700V (1.7kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

Част запас: 1797

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Super Junction, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

Част запас: 261

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

Част запас: 446

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 278A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

Част запас: 2107

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

Част запас: 139

FET тип: 2 N Channel (Phase Leg), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1700V (1.7kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

Част запас: 1065

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

Част запас: 381

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

Част запас: 433

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 317A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

Част запас: 940

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

Част запас: 1470

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

Част запас: 1719

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

Част запас: 1728

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

Част запас: 599

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

Част запас: 489

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

Част запас: 743

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Super Junction, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

Част запас: 1759

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

Част запас: 248

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

Част запас: 545

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания