Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - Модули
APTGF100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

Част запас: 453

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 135A, Мощност - Макс: 568W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

Част запас: 3069

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 961W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGF100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

Част запас: 453

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 135A, Мощност - Макс: 568W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGF100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

Част запас: 411

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 130A, Мощност - Макс: 735W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGF100A120TG
Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

Част запас: 435

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 135A, Мощност - Макс: 568W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

Част запас: 455

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 93A, Мощност - Макс: 378W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Списък с желания
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

Част запас: 418

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 93A, Мощност - Макс: 378W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Списък с желания
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

Част запас: 3465

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 347W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

Част запас: 3433

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 347W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

Част запас: 448

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT30GF60JU3
Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

Част запас: 465

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 58A, Мощност - Макс: 192W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

Част запас: 416

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 58A, Мощност - Макс: 192W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

Част запас: 481

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Мощност - Макс: 416W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT75GN120J
Microsemi Corporation

APT75GN120J

Част запас: 420

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 124A, Мощност - Макс: 379W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

Част запас: 401

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 124A, Мощност - Макс: 379W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APT60GT60JR
Microsemi Corporation

APT60GT60JR

Част запас: 445

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 93A, Мощност - Макс: 378W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Списък с желания
APT50GP60J
Microsemi Corporation

APT50GP60J

Част запас: 2419

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 329W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

Част запас: 393

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 72A, Мощност - Макс: 379W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT40GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

Част запас: 2536

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 86A, Мощност - Макс: 284W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Списък с желания
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

Част запас: 469

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 77A, Мощност - Макс: 347W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Списък с желания
APT200GN60JG
Microsemi Corporation

APT200GN60JG

Част запас: 406

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 283A, Мощност - Макс: 682W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

Част запас: 1653

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 128A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGV50H60BT3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

Част запас: 1360

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

Част запас: 2143

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 900V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 64A, Мощност - Макс: 284W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Списък с желания
APT40GP90J
Microsemi Corporation

APT40GP90J

Част запас: 2176

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 900V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 68A, Мощност - Макс: 284W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Списък с желания
APT50GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

Част запас: 2312

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 329W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT30GP60JDQ1
Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

Част запас: 2849

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 67A, Мощност - Макс: 245W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APTGF50DA120CT1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

Част запас: 351

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGF90DA60CT1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

Част запас: 336

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 416W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

Част запас: 3031

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

Част запас: 3035

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGF100A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

Част запас: 285

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 130A, Мощност - Макс: 657W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

Част запас: 351

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Мощност - Макс: 520W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

Част запас: 371

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

Част запас: 316

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 270W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

Част запас: 363

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 350W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания