Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - Модули
APTGT225A170G
Microsemi Corporation

APTGT225A170G

Част запас: 559

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 340A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Списък с желания
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation

APTGT450DA60G

Част запас: 807

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 550A, Мощност - Макс: 1750W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Списък с желания
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation

APTGT200DH60G

Част запас: 969

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 290A, Мощност - Макс: 625W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170T1G

Част запас: 1665

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGLQ200H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H65G

Част запас: 235

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 270A, Мощност - Макс: 680W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT100H170G
Microsemi Corporation

APTGT100H170G

Част запас: 545

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 560W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA120TG

Част запас: 1830

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT100TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TDU60PG

Част запас: 882

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Triple, Dual - Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU60TG

Част запас: 1678

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT85GR120JD60
Microsemi Corporation

APT85GR120JD60

Част запас: 1831

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 116A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

Списък с желания
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4

Част запас: 1985

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 283A, Мощност - Макс: 682W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN60JDQ4

Част запас: 2056

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 536W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGFQ25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGFQ25H120T2G

Част запас: 1323

IGBT тип: NPT and Fieldstop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 227W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Списък с желания
APTGT200A120G
Microsemi Corporation

APTGT200A120G

Част запас: 466

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 280A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation

APTGT200DU120G

Част запас: 608

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 280A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation

APT100GT120JU2

Част запас: 2200

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTCV60TLM45T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM45T3G

Част запас: 3094

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APT85GR120J
Microsemi Corporation

APT85GR120J

Част запас: 2135

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 116A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

Списък с желания
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation

APTGT75A1202G

Част запас: 548

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30TL60T3G

Част запас: 3068

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 90W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APT50GF60JCU2
Microsemi Corporation

APT50GF60JCU2

Част запас: 598

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT25GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GF120JCU2

Част запас: 619

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 45A, Мощност - Макс: 227W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Списък с желания
APT15GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT15GF120JCU2

Част запас: 601

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30A, Мощност - Макс: 156W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Списък с желания
APT75GN120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3

Част запас: 2245

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 124A, Мощност - Макс: 379W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DH120T3G

Част запас: 608

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T2G

Част запас: 565

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

Част запас: 1378

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Списък с желания
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

Част запас: 1989

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Списък с желания
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

Част запас: 2465

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 45A, Мощност - Макс: 170W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Списък с желания
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

Част запас: 620

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

Част запас: 595

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

Част запас: 549

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

Част запас: 602

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 385W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

Част запас: 625

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

Част запас: 542

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 280W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

Част запас: 1816

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 128A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания