Изходна конфигурация: Half Bridge (4), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (4), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: SPI, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: SPI, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: SPI, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Изходна конфигурация: Half Bridge (4), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: DC Motors, General Purpose, Интерфейс: SPI, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),