Транзистори - JFET

BFR31,235

Част запас: 109082

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31,215

Част запас: 126893

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BSR57,215

Част запас: 126966

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BSR58,215

Част запас: 3330

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

BSR56,215

Част запас: 3328

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 20mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 0.5nA,

BFR30,235

Част запас: 193684

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFR30,215

Част запас: 169728

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFT46,215

Част запас: 107508

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.2V @ 0.5nA,

PMBFJ111,215

Част запас: 3326

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 10V @ 1µA,

PMBFJ176,215

Част запас: 3444

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 10nA,

PMBFJ109,215

Част запас: 111148

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 6V @ 1µA,

J110,126

Част запас: 3445

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1µA,

PMBFJ113,215

Част запас: 3422

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 1µA,

PMBFJ174,215

Част запас: 3362

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10nA,

PMBFJ310,215

Част запас: 3357

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1µA,

PMBFJ620,115

Част запас: 3371

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1µA,

J112,126

Част запас: 3333

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

PMBFJ177,215

Част запас: 174637

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

J3A080YXS/T0BY4AG0

Част запас: 3511

J175,116

Част запас: 3507

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

J3A012YXS/T0BY4551

Част запас: 3486

J174,126

Част запас: 3496

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10nA,

PMBFJ108,215

Част запас: 176025

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 10V @ 1µA,

J2A080GX0/T0BG295,

Част запас: 3424

J176,126

Част запас: 3498

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 10nA,

J113,126

Част запас: 3413

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

PMBF4391,215

Част запас: 153688

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1nA,

J2A040YXS/T0BY424,

Част запас: 3447

J2A012YXS/T1AY403,

Част запас: 3472

PMBFJ112,215

Част запас: 3329

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 1µA,

J1A012YXS/T1AY404,

Част запас: 3441

J3A040YXS/T0BY4571

Част запас: 3424

J111,126

Част запас: 3411

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 10V @ 1µA,

PMBF4393,215

Част запас: 121138

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1nA,

PMBFJ110,215

Част запас: 137694

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1µA,

PMBFJ309,215

Част запас: 114569

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,