Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 2

1PS193,115

Част запас: 1062

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 215mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

1PS193,135

Част запас: 5187

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 215mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

1N914B,113

Част запас: 348

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

1N4148,113

Част запас: 9942

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 10mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

1N4148,143

Част запас: 9977

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 10mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

1N4148,133

Част запас: 9978

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 10mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

1PS59SB20,115

Част запас: 9887

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

NXP USA Inc.

1N4448,113

Част запас: 9889

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

1N4448,143

Част запас: 9886

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

1PS59SB10,115

Част запас: 9579

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAT54T,115

Част запас: 1894

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAS116T,115

Част запас: 1894

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 215mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BYC8B-600PQP

Част запас: 1423

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.4V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 18ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BY229X-800,127

Част запас: 1511

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.85V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 135ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BYD17G,115

Част запас: 1052

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAW62,133

Част запас: 1029

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BY229-600,127

Част запас: 496

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 500V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.85V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 135ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAT254,115

Част запас: 478

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BYD17K,135

Част запас: 390

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BYD77D,115

Част запас: 303

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 850mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BYD37M,115

Част запас: 388

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 600mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BYD77B,115

Част запас: 365

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 850mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BYD17J,115

Част запас: 375

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BYD17D,115

Част запас: 296

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BY329X-1200,127

Част запас: 9889

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.85V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 145ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BY329-1500S,127

Част запас: 9919

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1500V, Ток - средно коригиран (Io): 6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 6.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 160ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAS216,115

Част запас: 9921

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BY359-1500,127

Част запас: 9954

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1500V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 20A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 600ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAS216,135

Част запас: 9878

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAS16T,115

Част запас: 9970

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 155mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAW62,113

Част запас: 9968

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAW62,143

Част запас: 9956

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAS316/ZLX

Част запас: 9620

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 215mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAS40/ZLVL

Част запас: 9547

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 120mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 40mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAS321/ZLX

Част запас: 9538

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

NXP USA Inc.

BAS321/ZLF

Част запас: 9610

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания