Памет

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

Част запас: 4912

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#AA0

Част запас: 4976

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#HA0

Част запас: 4968

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Честота на часовника: 5MHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-5SR#S0

Част запас: 2787

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SR#S0

Част запас: 1295

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSB-4S2#HA0

Част запас: 4969

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSA-4S2#KA0

Част запас: 4966

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1EX25512ATA00I#U0

Част запас: 2967

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 512Kb (64K x 8), Честота на часовника: 5MHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SR#B0

Част запас: 1286

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LP0108ESN-7SR#S0

Част запас: 1264

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-7SR#S0

Част запас: 2847

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSA-4S2#AA0

Част запас: 4970

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0414EGSB-4S2#HA0

Част запас: 4987

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-5SR#B0

Част запас: 1209

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

HN58X25128FPIAG#S0

Част запас: 2777

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 128Kb (16K x 8), Честота на часовника: 5MHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SI#S0

Част запас: 1290

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0414EGSB-4S2#AA0

Част запас: 5022

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-7SR#B0

Част запас: 2826

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1EX24064ASAS0I#U0

Част запас: 2743

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Честота на часовника: 400kHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PI#B0

Част запас: 3101

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 12ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

HM28100TTI5SE

Част запас: 5535

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1WV6416RSD-5SI#S0

Част запас: 3565

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1EX24256BSAS0I#K0

Част запас: 9012

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Честота на часовника: 400kHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV1616RBG-7SR#S0

Част запас: 2262

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1EX24512BTAS0I#S0

Част запас: 2254

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 512Kb (64K x 8), Честота на часовника: 1MHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV5256ESA-5SI#B0

Част запас: 9180

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SI#B0

Част запас: 8974

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1EX24002ATAS0I#S0

Част запас: 2250

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 2Kb (256 x 8), Честота на часовника: 400kHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1EX24128BSAS0I#K0

Част запас: 8961

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 128Kb (16K x 8), Честота на часовника: 400kHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1EX25008ATA00I#S0

Част запас: 2254

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 8Kb (1K x 8), Честота на часовника: 5MHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV5256ESA-5SI#S0

Част запас: 2391

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1WV3216RBG-7SR#B0

Част запас: 9415

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 32Mb (2M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1EX24008ASAS0I#U0

Част запас: 6440

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 8Kb (1K x 8), Честота на часовника: 400kHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 5ms,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-7SI#B0

Част запас: 9244

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LP0108ESF-5SI#B0

Част запас: 8844

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Част запас: 4912

Част запас: 4976

Част запас: 4968

Част запас: 7301

Част запас: 2787

Част запас: 1295

Част запас: 4969

Част запас: 4966

Част запас: 2967

Част запас: 1286

Част запас: 1264

Част запас: 2847

Част запас: 4970

Част запас: 4987

Част запас: 1209

Част запас: 2777

Част запас: 1290

Част запас: 5022

Част запас: 2826

Част запас: 2743

Част запас: 3101

Част запас: 5535

Част запас: 3565

Част запас: 9012

Част запас: 2262

Част запас: 2254

Част запас: 9180

Част запас: 8974

Част запас: 2250

Част запас: 8961

Част запас: 2254

Част запас: 2391

Част запас: 9415

Част запас: 6440

Част запас: 9244

Част запас: 8844