Памет | Интегрални схеми (IC) | 7

R1LV5256ESP-7SI#B0

Част запас: 673

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0816ABG-5SI#B0

Част запас: 632

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-5SI#B0

Част запас: 577

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0816ASA-7SI#B0

Част запас: 740

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-7SI#B0

Част запас: 610

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LP0108ESA-5SI#B0

Част запас: 8932

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESF-5SR#S0

Част запас: 8972

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LP0108ESF-5SI#S0

Част запас: 8925

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0816BGSD-4S2#HC0

Част запас: 5295

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LP0108ESA-5SI#S0

Част запас: 8948

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESF-5SI#B0

Част запас: 8921

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESF-5SR#B0

Част запас: 8998

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESF-7SR#B0

Част запас: 9026

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESF-7SI#B0

Част запас: 8986

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LP0408DSP-7SI#B0

Част запас: 7030

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESF-7SR#S0

Част запас: 9080

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESF-7SI#S0

Част запас: 9014

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESA-5SI#S0

Част запас: 8969

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0816BGBG-4S2#AC0

Част запас: 2588

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0816BGSB-4S2#AA0

Част запас: 344

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0816BGSD-4S2#AC0

Част запас: 2627

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0816BGSA-4S2#AA0

Част запас: 1535

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0808BGSB-4S2#AA0

Част запас: 1643

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV1616AGBG-5S2#KC0

Част запас: 134

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV1616AGSA-5S2#KA0

Част запас: 212

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV1616AGSD-5S2#HC0

Част запас: 4357

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LP0408DSB-5SI#S0

Част запас: 9793

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESF-5SI#S0

Част запас: 3694

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LP0408DSP-7SI#S0

Част запас: 9789

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0816BGSB-4S2#HA0

Част запас: 171

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0816BGBG-4S2#KC0

Част запас: 124

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

R1LV0108ESA-5SI#B0

Част запас: 11154

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 55ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0816BGSA-4S2#KA0

Част запас: 141

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0808BGSB-4S2#HA0

Част запас: 178

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 8Mb (1M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0416EGBG-4S2#AC0

Част запас: 2621

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания

Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#AA1

Част запас: 743

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM, Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

Списък с желания