Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
HT14G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT14G A1G

Част запас: 103

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
MBRF7100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7100HC0G

Част запас: 147

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 7.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFAF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF802G C0G

Част запас: 124

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBRF1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1690HC0G

Част запас: 156

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 16A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFAF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003G C0G

Част запас: 115

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFAF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF801GHC0G

Част запас: 85

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
S1GLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLS RVG

Част запас: 99

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1.2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GHC0G

Част запас: 74

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
HERA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA803G C0G

Част запас: 153

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
SFAF806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF806GHC0G

Част запас: 87

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBRF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050HC0G

Част запас: 97

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS115LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LS RVG

Част запас: 86

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFAS804GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804GHMNG

Част запас: 86

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFAF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1002GHC0G

Част запас: 98

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1608G C0G

Част запас: 145

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
RS1DFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFS MXG

Част запас: 120

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания
UGF12JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JDHC0G

Част запас: 66

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.1V @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 45ns,

Списък с желания
MUR160A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160A A0G

Част запас: 138

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
HERA804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA804G C0G

Част запас: 69

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
SFF508G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF508G C0G

Част запас: 160

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 2.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
HERAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1008G C0G

Част запас: 163

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 80ns,

Списък с желания
SFF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2003G C0G

Част запас: 119

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2008G C0G

Част запас: 86

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
LSR103 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR103 L0G

Част запас: 138

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
UGA15120HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA15120HC0G

Част запас: 110

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.9V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 65ns,

Списък с желания
SFF1007GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007GA C0G

Част запас: 85

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 500V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBR1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1635HC0G

Част запас: 145

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 630mV @ 16A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFAF1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1008GHC0G

Част запас: 90

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2002GHC0G

Част запас: 74

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLS RQG

Част запас: 117

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1.2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2004GHC0G

Част запас: 107

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBRF790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF790 C0G

Част запас: 151

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io): 7.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635HC0G

Част запас: 137

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 630mV @ 16A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF1035 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035 C0G

Част запас: 156

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S1GLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLSHRQG

Част запас: 118

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1.2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF760 C0G

Част запас: 155

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 7.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания