Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
UGA8120 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA8120 C0G

Част запас: 90

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.8V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 70ns,

Списък с желания
LSR102 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR102 L0G

Част запас: 162

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFAF803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF803G C0G

Част запас: 98

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBRF5150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5150 C0G

Част запас: 133

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.02V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
RS1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLW RVG

Част запас: 88

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания
MBRF750HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF750HC0G

Част запас: 83

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 7.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16100HC0G

Част запас: 87

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 16A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFAF808GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF808GHC0G

Част запас: 146

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFF1005GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1005GA C0G

Част запас: 99

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFAF502GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF502GHC0G

Част запас: 164

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBRF10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10150HC0G

Част запас: 107

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFS1004G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1004G MNG

Част запас: 106

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2005G C0G

Част запас: 83

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBRF10200HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200HC0G

Част запас: 77

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFAF503G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF503G C0G

Част запас: 156

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFAF801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF801G C0G

Част запас: 141

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
UF1GLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1GLW RVG

Част запас: 137

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 20ns,

Списък с желания
SFF1004GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1004GA C0G

Част запас: 135

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
UG12J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG12J C0G

Част запас: 92

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 20ns,

Списък с желания
SFF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2006G C0G

Част запас: 137

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFAF807GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF807GHC0G

Част запас: 90

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 500V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
RS1GFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GFS MXG

Част запас: 148

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания
SFF506G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF506G C0G

Част запас: 117

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 2.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
SFAF1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1005GHC0G

Част запас: 76

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
HERA802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA802G C0G

Част запас: 65

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
S1MFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MFS MXG

Част запас: 78

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1660 C0G

Част запас: 102

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 16A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFAF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1606GHC0G

Част запас: 122

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 16A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBRF16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16150 C0G

Част запас: 113

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 16A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
ES1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DLW RVG

Част запас: 148

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
MBRF5100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5100HC0G

Част запас: 132

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SFF1001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1001GHC0G

Част запас: 139

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
HERAF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1005G C0G

Част запас: 74

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
MBRF20100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100HC0G

Част запас: 98

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
HERAF801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF801G C0G

Част запас: 143

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
S1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KLWHRVG

Част запас: 137

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания