Транзистори - FET, MOSFET - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

SQ4470EY-T1_GE3

Част запас: 110155

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIS892DN-T1-GE3

Част запас: 103403

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQJA96EP-T1_GE3

Част запас: 188726

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI3438DV-T1-GE3

Част запас: 148678

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQ4431EY-T1_GE3

Част запас: 176141

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQD50N05-11L_GE3

Част запас: 95220

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 45A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI7820DN-T1-E3

Част запас: 128232

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.6A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SISS12DN-T1-GE3

Част запас: 7630

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 37.5A (Ta), 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI1013R-T1-GE3

Част запас: 170556

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 350mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI7108DN-T1-E3

Част запас: 99270

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 22A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQJ872EP-T1_GE3

Част запас: 7680

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 24.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQD100N03-3M2L_GE3

Част запас: 7768

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI4850BDY-T1-GE3

Част запас: 7582

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIHU6N62E-GE3

Част запас: 99936

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 620V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI7112DN-T1-E3

Част запас: 113516

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI2304BDS-T1-GE3

Част запас: 126391

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.5A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIJ470DP-T1-GE3

Част запас: 101239

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 58.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SUD23N06-31-T4-GE3

Част запас: 118923

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21.4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIA461DJ-T1-GE3

Част запас: 177398

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI7848BDP-T1-GE3

Част запас: 113555

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-E3

Част запас: 159081

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQS405EN-T1_GE3

Част запас: 7586

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SUD09P10-195-GE3

Част запас: 190255

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 3.6A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIS454DN-T1-GE3

Част запас: 164014

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIHD7N60ET5-GE3

Част запас: 7795

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIR664DP-T1-GE3

Част запас: 144372

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQJ886EP-T1_GE3

Част запас: 127389

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15.3A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQD40081EL_GE3

Част запас: 7726

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIR812DP-T1-GE3

Част запас: 101225

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI4090DY-T1-GE3

Част запас: 110614

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19.7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQ9407EY-T1_GE3

Част запас: 153475

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI4136DY-T1-GE3

Част запас: 101249

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 46A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SUD90330E-GE3

Част запас: 5843

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQS481ENW-T1_GE3

Част запас: 120369

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095 Ohm @ 5A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SQJ414EP-T1_GE3

Част запас: 7496

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIS780DN-T1-GE3

Част запас: 7384

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания