Диоди - Изправители - единични

У дома
Диоди - Изправители - единични

1N4002GPEHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPEHE3/54

Част запас: 5130

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3613GPHE3/54

Част запас: 900

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3957GPHE3/54

Част запас: 972

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3612GPHE3/54

Част запас: 912

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GPHE3/54

Част запас: 5188

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5622GP-E3/73

Част запас: 891

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GP-E3/73

Част запас: 897

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GPHE3/73

Част запас: 900

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393GPHE3/73

Част запас: 887

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397GPHE3/73

Част запас: 5169

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062GPHE3/73

Част запас: 863

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5060GPHE3/73

Част запас: 904

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GPHE3/73

Част запас: 5181

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4944GPHE3/73

Част запас: 901

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4942GPHE3/73

Част запас: 865

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPHE3/73

Част запас: 823

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GPHE3/73

Част запас: 845

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4935GPHE3/73

Част запас: 875

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPHE3/73

Част запас: 870

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GPHE3/73

Част запас: 866

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933GPHE3/73

Част запас: 862

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GPHE3/73

Част запас: 843

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4248GPHE3/73

Част запас: 877

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4247GPHE3/73

Част запас: 5114

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4246GPHE3/73

Част запас: 877

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHE3/73

Част запас: 877

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

1N4007GPEHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPEHE3/73

Част запас: 5176

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPHE3/73

Част запас: 904

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006GPHE3/73

Част запас: 898

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

1N4005GPEHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPEHE3/73

Част запас: 835

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPHE3/73

Част запас: 894

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPHE3/73

Част запас: 823

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

1N4002GPEHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPEHE3/73

Част запас: 895

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPHE3/73

Част запас: 818

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

1N4001GPEHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPEHE3/73

Част запас: 5146

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPHE3/73

Част запас: 869

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания

3600

«
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
»