Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
1N3957GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3957GPHE3/73

Част запас: 857

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
1N3613GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3613GPHE3/73

Част запас: 822

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
1N3612GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3612GPHE3/73

Част запас: 854

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
1N3611GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GPHE3/73

Част запас: 850

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
1N5401-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5401-E3/54

Част запас: 139162

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5403-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5403-E3/54

Част запас: 199841

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5822-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822-E3/73

Част запас: 165662

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 525mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N4002GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GP-M3/73

Част запас: 436

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N4004GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/54

Част запас: 5073

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
1N3085
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3085

Част запас: 5526

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5401/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5401/54

Част запас: 418

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5819-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819-E3/51

Част запас: 342

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5822-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822-E3/51

Част запас: 354

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 525mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5408-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5408-E3/51

Част запас: 377

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5818-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5818-E3/1

Част запас: 349

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5407-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/51

Част запас: 383

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5406-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5406-E3/51

Част запас: 354

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5404-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5404-E3/51

Част запас: 352

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
1N5402-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/51

Част запас: 330

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
15ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06-1

Част запас: 247

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.2V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 32ns,

Списък с желания
15ETX06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06

Част запас: 207

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.2V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 32ns,

Списък с желания
15ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06FP

Част запас: 217

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 270ns,

Списък с желания
15ETL06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06-1

Част запас: 183

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 270ns,

Списък с желания
15ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06S

Част запас: 224

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 270ns,

Списък с желания
15ETL06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06

Част запас: 235

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 270ns,

Списък с желания
18TQ050
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ050

Част запас: 237

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 18A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 18A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
10WQ045FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

10WQ045FN

Част запас: 177

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 630mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
15ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03S

Част запас: 213

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 40ns,

Списък с желания
15ETH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03-1

Част запас: 214

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 40ns,

Списък с желания
15ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06S

Част запас: 170

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.2V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
15ETH06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06-1

Част запас: 242

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.2V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
15ETH03
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03

Част запас: 234

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 40ns,

Списък с желания
15ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06

Част запас: 236

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.2V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
129NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

129NQ135

Част запас: 156

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 135V, Ток - средно коригиран (Io): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
189NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

189NQ135

Част запас: 162

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 135V, Ток - средно коригиран (Io): 180A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 180A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
10BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ030

Част запас: 215

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 420mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания