Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

18TQ045STRR

Част запас: 169

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 18A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 18A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRR

Част запас: 117

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 15V, Ток - средно коригиран (Io): 19A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 360mV @ 19A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045STRL

Част запас: 144

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 18A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 18A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRL

Част запас: 5027

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRR

Част запас: 147

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060S

Част запас: 148

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060

Част запас: 159

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

150LR5A

Част запас: 5549

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.33V @ 471A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

150KSR5

Част запас: 95

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.33V @ 471A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

130HFR80PV

Част запас: 101

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 130A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 500A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRL

Част запас: 129

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 560mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRR

Част запас: 174

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 560mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRL

Част запас: 156

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 560mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRR

Част запас: 95

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 560mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

Част запас: 171

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

Част запас: 82

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

Част запас: 173

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 10A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

Част запас: 98

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 10A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

Част запас: 157

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 10A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

Част запас: 94

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 10A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

Част запас: 76

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.33V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 310ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

Част запас: 99

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.33V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 310ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

Част запас: 161

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.33V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 310ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

Част запас: 131

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.33V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 310ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

Част запас: 5088

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 145ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

Част запас: 145

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 145ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

Част запас: 152

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 145ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

Част запас: 153

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 145ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

Част запас: 112

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 145ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

Част запас: 160

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 18A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 18A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

Част запас: 71

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 760mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

Част запас: 130

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 760mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

Част запас: 112

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 180A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 180A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

Част запас: 135

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 180A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 180A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

Част запас: 74

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 180A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 510mV @ 180A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

Част запас: 104

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 180A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 180A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания