Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

SBR20150CT

Част запас: 101440

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

SMC Diode Solutions

SDUR1620CT

Част запас: 135444

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Rohm Semiconductor

UMN20NFHTR

Част запас: 103

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20M120C-M3/4W

Част запас: 106664

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 910mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10170C-M3/4W

Част запас: 88004

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 170V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.03V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080C-E3/4W

Част запас: 153775

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI40100C-M3/4W

Част запас: 64806

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 730mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM150CHM3/I

Част запас: 95

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40D120CHM3/I

Част запас: 72205

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 890mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30M120C-M3/4W

Част запас: 106695

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT30L60C-M3/4W

Част запас: 87772

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2045C-M3/4W

Част запас: 100703

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-M3/4W

Част запас: 112838

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSHD320CW40

Част запас: 1764

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 360A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045CBP-M3/4W

Част запас: 129918

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060C-M3/4W

Част запас: 116241

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15W60C-M3/I

Част запас: 140876

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 7.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20200C-E3/4W

Част запас: 86172

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045

Част запас: 1259

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CT

Част запас: 792

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

FST10035

Част запас: 1520

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA200120R

Част запас: 942

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA300120

Част запас: 1023

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CT

Част запас: 1147

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT200150R

Част запас: 1663

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURT30020R

Част запас: 1097

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080

Част запас: 1313

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060R

Част запас: 1006

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR120150CTR

Част запас: 1494

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1608G C0G

Част запас: 121

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Infineon Technologies

DD285N02KHPSA1

Част запас: 58

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 285A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 800A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Cree/Wolfspeed

C2D10120D

Част запас: 4546

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Micro Commercial Co

MD200A16D2-BP

Част запас: 1461

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Micro Commercial Co

MF200K06F3-BP

Част запас: 2343

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

ON Semiconductor

SBRV660VCTT4G

Част запас: 146140

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

ON Semiconductor

SBRB1545CTG

Част запас: 79461

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 7.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание