Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
MURTA400120
GeneSiC Semiconductor

MURTA400120

Част запас: 996

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X030A04
GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A04

Част запас: 4394

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 30A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA50060R
GeneSiC Semiconductor

MURTA50060R

Част запас: 982

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A200

Част запас: 3393

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT300100R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300100R

Част запас: 1524

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X120A150
GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A150

Част запас: 3101

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA200120
GeneSiC Semiconductor

MURTA200120

Част запас: 994

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT30020
GeneSiC Semiconductor

MBRT30020

Част запас: 1593

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR500200CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR500200CTR

Част запас: 1176

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30035CT
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CT

Част запас: 1406

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR50040CT
GeneSiC Semiconductor

MBR50040CT

Част запас: 1198

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR40020CT
GeneSiC Semiconductor

MBR40020CT

Част запас: 1580

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST12020
GeneSiC Semiconductor

FST12020

Част запас: 1534

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA30060R
GeneSiC Semiconductor

MURTA30060R

Част запас: 1021

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT30040R
GeneSiC Semiconductor

MURT30040R

Част запас: 1168

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT10005
GeneSiC Semiconductor

MURT10005

Част запас: 1314

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT30005
GeneSiC Semiconductor

MURT30005

Част запас: 1154

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA20040R
GeneSiC Semiconductor

MURTA20040R

Част запас: 971

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR20020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20020CTR

Част запас: 1511

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR500200CT
GeneSiC Semiconductor

MBR500200CT

Част запас: 1191

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR10005CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR10005CTR

Част запас: 1524

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST160100
GeneSiC Semiconductor

FST160100

Част запас: 1519

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA40040
GeneSiC Semiconductor

MURTA40040

Част запас: 989

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR40080CT
GeneSiC Semiconductor

MBR40080CT

Част запас: 1222

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRT200120(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)D

Част запас: 1339

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR40020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTR

Част запас: 1584

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT60030R
GeneSiC Semiconductor

MBRT60030R

Част запас: 934

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT10020
GeneSiC Semiconductor

MURT10020

Част запас: 1292

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR120100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR120100CT

Част запас: 1548

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRT12040R

Част запас: 1889

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT120100R
GeneSiC Semiconductor

MBRT120100R

Част запас: 1802

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR600150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR600150CT

Част запас: 917

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT120100
GeneSiC Semiconductor

MBRT120100

Част запас: 1842

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40020
GeneSiC Semiconductor

MBRT40020

Част запас: 1322

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X060A080
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A080

Част запас: 4085

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR40010CT
GeneSiC Semiconductor

MUR40010CT

Част запас: 1209

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 125A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания