Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

Част запас: 1156

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

Част запас: 3030

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

Част запас: 1552

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT20020
GeneSiC Semiconductor

MURT20020

Част запас: 1213

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

Част запас: 972

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRT200140(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

Част запас: 1324

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR500100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

Част запас: 1192

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

Част запас: 3096

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT12035
GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

Част запас: 1844

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR30060CT
GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

Част запас: 1342

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR12030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

Част запас: 1491

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST160150
GeneSiC Semiconductor

FST160150

Част запас: 1636

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST10020
GeneSiC Semiconductor

FST10020

Част запас: 1563

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR300150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

Част запас: 1446

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR40060CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

Част запас: 1286

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 125A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X100A12
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

Част запас: 3213

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.35V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X160A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

Част запас: 2552

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT20040
GeneSiC Semiconductor

MURT20040

Част запас: 1224

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT20005R
GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

Част запас: 1264

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR60080CT
GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

Част запас: 795

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

Част запас: 1429

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR50020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

Част запас: 1148

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT50040
GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

Част запас: 1070

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA300100(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

Част запас: 1265

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

Част запас: 1842

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR12030CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

Част запас: 1542

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT30030R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30030R

Част запас: 1557

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT50060
GeneSiC Semiconductor

MBRT50060

Част запас: 1058

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR600100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR600100CTR

Част запас: 945

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X120A10
GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A10

Част запас: 2503

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.35V @ 120A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST12045
GeneSiC Semiconductor

FST12045

Част запас: 1584

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA50040
GeneSiC Semiconductor

MURTA50040

Част запас: 1062

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT10005R
GeneSiC Semiconductor

MURT10005R

Част запас: 1254

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT60020
GeneSiC Semiconductor

MBRT60020

Част запас: 938

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT50030
GeneSiC Semiconductor

MBRT50030

Част запас: 1087

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40020R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40020R

Част запас: 1393

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания