Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
MUR10060CT
GeneSiC Semiconductor

MUR10060CT

Част запас: 1572

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X120A080
GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A080

Част запас: 3245

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR120150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR120150CT

Част запас: 1581

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR40060CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40060CTR

Част запас: 1274

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT30035
GeneSiC Semiconductor

MBRT30035

Част запас: 1119

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30060CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30060CTR

Част запас: 1410

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT40005
GeneSiC Semiconductor

MURT40005

Част запас: 1095

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X160A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A200

Част запас: 2399

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR300100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR300100CTR

Част запас: 1423

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA60040
GeneSiC Semiconductor

MURTA60040

Част запас: 1008

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40040R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40040R

Част запас: 1070

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT120200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT120200R

Част запас: 1852

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR30040CT
GeneSiC Semiconductor

MUR30040CT

Част запас: 1392

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST12060
GeneSiC Semiconductor

FST12060

Част запас: 1605

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT30080
GeneSiC Semiconductor

MBRT30080

Част запас: 1303

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRT150160(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)D

Част запас: 1898

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST120100
GeneSiC Semiconductor

FST120100

Част запас: 1560

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT30060
GeneSiC Semiconductor

MURT30060

Част запас: 1126

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST16020
GeneSiC Semiconductor

FST16020

Част запас: 1480

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA30060(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA30060(A)D

Част запас: 1229

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA50020
GeneSiC Semiconductor

MURTA50020

Част запас: 1025

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT20080
GeneSiC Semiconductor

MBRT20080

Част запас: 1395

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTR

Част запас: 1492

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30030CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTR

Част запас: 1432

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR10040CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR10040CTR

Част запас: 1524

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR60020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTR

Част запас: 941

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT300100
GeneSiC Semiconductor

MBRT300100

Част запас: 1605

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR10020CT
GeneSiC Semiconductor

MUR10020CT

Част запас: 1540

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT600200
GeneSiC Semiconductor

MBRT600200

Част запас: 963

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT300200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

Част запас: 1564

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR400150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

Част запас: 1548

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT300150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

Част запас: 1563

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

Част запас: 1533

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR40080CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

Част запас: 1212

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR20060CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

Част запас: 1519

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

Част запас: 3870

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания