Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
MURTA20040
GeneSiC Semiconductor

MURTA20040

Част запас: 958

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA30040
GeneSiC Semiconductor

MURTA30040

Част запас: 977

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X050A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A120

Част запас: 3912

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT30045
GeneSiC Semiconductor

MBRT30045

Част запас: 1259

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR60040CT
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CT

Част запас: 792

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST10035
GeneSiC Semiconductor

FST10035

Част запас: 1520

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA200120R
GeneSiC Semiconductor

MURTA200120R

Част запас: 942

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA300120
GeneSiC Semiconductor

MURTA300120

Част запас: 1023

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR500100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR500100CT

Част запас: 1147

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT200150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT200150R

Част запас: 1663

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT30020R
GeneSiC Semiconductor

MURT30020R

Част запас: 1097

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40080
GeneSiC Semiconductor

MBRT40080

Част запас: 1313

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA20060R
GeneSiC Semiconductor

MURTA20060R

Част запас: 1006

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR120150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR120150CTR

Част запас: 1494

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR50035CT
GeneSiC Semiconductor

MBR50035CT

Част запас: 1122

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT40020R
GeneSiC Semiconductor

MURT40020R

Част запас: 1057

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT500200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT500200R

Част запас: 1085

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRT15060(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)D

Част запас: 1915

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR300200CTR

Част запас: 1431

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT12060
GeneSiC Semiconductor

MBRT12060

Част запас: 1889

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40035R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035R

Част запас: 1140

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT20020R
GeneSiC Semiconductor

MURT20020R

Част запас: 1216

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40060
GeneSiC Semiconductor

MBRT40060

Част запас: 1318

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA600120R
GeneSiC Semiconductor

MURTA600120R

Част запас: 883

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR50040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR50040CTR

Част запас: 1166

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A060

Част запас: 4118

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST10060
GeneSiC Semiconductor

FST10060

Част запас: 1587

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR300100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR300100CT

Част запас: 1480

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT12020
GeneSiC Semiconductor

MBRT12020

Част запас: 1845

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT60060R
GeneSiC Semiconductor

MBRT60060R

Част запас: 901

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR10010CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR10010CTR

Част запас: 1598

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X100A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A045

Част запас: 3224

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA600120
GeneSiC Semiconductor

MURTA600120

Част запас: 921

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X060A060
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A060

Част запас: 4141

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST10030
GeneSiC Semiconductor

FST10030

Част запас: 1544

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT40040
GeneSiC Semiconductor

MBRT40040

Част запас: 1158

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания