Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
MBRT400200
GeneSiC Semiconductor

MBRT400200

Част запас: 2222

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRT150120(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)D

Част запас: 1856

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR400100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR400100CTR

Част запас: 1349

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRTA20060(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA20060(A)D

Част запас: 1235

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X030A080
GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A080

Част запас: 4336

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT30010R
GeneSiC Semiconductor

MURT30010R

Част запас: 1141

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA40060R
GeneSiC Semiconductor

MURTA40060R

Част запас: 949

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR40045CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTR

Част запас: 1298

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT12040
GeneSiC Semiconductor

MBRT12040

Част запас: 1835

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR30040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTR

Част запас: 1426

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR30020CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR30020CTR

Част запас: 1311

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT20010R
GeneSiC Semiconductor

MURT20010R

Част запас: 1196

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR500150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR500150CT

Част запас: 1181

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT120150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT120150R

Част запас: 1882

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT50045
GeneSiC Semiconductor

MBRT50045

Част запас: 1103

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT20030
GeneSiC Semiconductor

MBRT20030

Част запас: 1588

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X060A10
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A10

Част запас: 2905

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.35V @ 60A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR20030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR20030CT

Част запас: 1543

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT40005R
GeneSiC Semiconductor

MURT40005R

Част запас: 1065

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
FST120150
GeneSiC Semiconductor

FST120150

Част запас: 1674

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT400150
GeneSiC Semiconductor

MBRT400150

Част запас: 1541

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT20060
GeneSiC Semiconductor

MURT20060

Част запас: 1254

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT300150
GeneSiC Semiconductor

MBRT300150

Част запас: 1540

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRT200100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT200100(A)

Част запас: 1517

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA500120
GeneSiC Semiconductor

MURTA500120

Част запас: 941

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 250A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT30040
GeneSiC Semiconductor

MBRT30040

Част запас: 1272

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR300150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR300150CT

Част запас: 1488

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURT40060R
GeneSiC Semiconductor

MURT40060R

Част запас: 1085

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA500120R
GeneSiC Semiconductor

MURTA500120R

Част запас: 984

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 250A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA300120R
GeneSiC Semiconductor

MURTA300120R

Част запас: 986

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.6V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRT20020
GeneSiC Semiconductor

MBRT20020

Част запас: 1623

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA30020
GeneSiC Semiconductor

MURTA30020

Част запас: 1027

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR2X030A12
GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A12

Част запас: 4218

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.35V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MSRT200120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)

Част запас: 1484

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A180

Част запас: 3494

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 180V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MURTA50060
GeneSiC Semiconductor

MURTA50060

Част запас: 997

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания