Транзистори - FET, MOSFET - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 11

IRF7328TRPBF

Част запас: 121945

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7380QTRPBF

Част запас: 2971

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7341QTRPBF

Част запас: 2975

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF5810TRPBF

Част запас: 3074

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7904PBF

Част запас: 75561

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.6A, 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7343TRPBF

Част запас: 191306

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRL6372TRPBF

Част запас: 136919

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Част запас: 229

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 50A, 15V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF

Част запас: 110076

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFI4019H-117P

Част запас: 26279

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7303PBF

Част запас: 77937

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IPG20N06S4L14ATMA1

Част запас: 2973

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

Част запас: 74468

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 64A, 145A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF

Част запас: 159831

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9956PBF

Част запас: 2963

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

DF23MR12W1M1B11BOMA1

Част запас: 3162

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 15V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7306TRPBF

Част запас: 134048

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7309PBF

Част запас: 123498

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF8910TRPBF

Част запас: 184858

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF8915TRPBF

Част запас: 198689

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7755TRPBF

Част запас: 2972

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7101TRPBF

Част запас: 197154

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7389PBF

Част запас: 49826

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRLHS6276TR2PBF

Част запас: 2990

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF3546MTRPBF

Част запас: 18707

FET тип: 4 N-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IPG20N06S2L65AATMA1

Част запас: 158126

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFI4212H-117P

Част запас: 32918

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7501TRPBF

Част запас: 166411

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7329PBF

Част запас: 48234

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7555TRPBF

Част запас: 2960

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7325TRPBF

Част запас: 2988

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRL6372PBF

Част запас: 2978

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFI4019HG-117P

Част запас: 3354

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFI4020H-117P

Част запас: 21018

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Част запас: 3093

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

Част запас: 3004

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Списък с желания