Транзистори - FET, MOSFET - масиви

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - масиви

Infineon Technologies

IRF7325PBF

Част запас: 2703

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7306PBF

Част запас: 89560

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

IPG20N06S415ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S415ATMA1

Част запас: 2968

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7389TR

Част запас: 2636

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7754TR

Част запас: 2696

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7751

Част запас: 2659

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7750GTRPBF

Част запас: 2784

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7314QTRPBF

Част запас: 2754

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF5852

Част запас: 2710

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7751TRPBF

Част запас: 2786

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7504TR

Част запас: 2662

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7319PBF

Част запас: 85832

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7509TR

Част запас: 2686

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.7A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7303QTRPBF

Част запас: 2779

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

IRF6723M2DTRPBF

Infineon Technologies

IRF6723M2DTRPBF

Част запас: 2819

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFH4255DTRPBF

Част запас: 2936

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 64A, 105A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9953TR

Част запас: 2719

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7313PBF

Част запас: 69767

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF5850TR

Част запас: 2705

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7752GTRPBF

Част запас: 2826

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7503TRPBF

Част запас: 185602

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7756

Част запас: 2661

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7331PBF

Част запас: 2665

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7316PBF

Част запас: 82106

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9910

Част запас: 2735

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7902PBF

Част запас: 2704

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.4A, 9.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

Списък с желания

IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM8363TR2PBF

Част запас: 2853

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF6150

Част запас: 2693

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9956

Част запас: 2709

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF5851TR

Част запас: 2645

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.7A, 2.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7325TR

Част запас: 2643

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7750TRPBF

Част запас: 2795

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7752TRPBF

Част запас: 2785

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7507TR

Част запас: 2651

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.4A, 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7756TRPBF

Част запас: 2780

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9952TR

Част запас: 2705

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

384

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»