Транзистори - FET, MOSFET - масиви

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - масиви

Infineon Technologies

IRF7506TR

Част запас: 2648

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7328PBF

Част запас: 58156

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7756GTRPBF

Част запас: 2800

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7104PBF

Част запас: 100274

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7328TR

Част запас: 2700

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7304PBF

Част запас: 67896

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7530TR

Част запас: 2684

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7755

Част запас: 2693

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7350TRPBF

Част запас: 3331

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.1A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7306QTRPBF

Част запас: 2778

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7324PBF

Част запас: 40730

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7313QTRPBF

Част запас: 2771

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7103Q

Част запас: 2957

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7751GTRPBF

Част запас: 2740

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF5810TR

Част запас: 2641

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF8852TRPBF

Част запас: 2855

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF5850

Част запас: 2724

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания

IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L26AATMA1

Част запас: 186995

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA,

Списък с желания

IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L35ATMA1

Част запас: 169062

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA,

Списък с желания

IPG16N10S461AATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S461AATMA1

Част запас: 195163

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA,

Списък с желания

IPG20N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L08ATMA1

Част запас: 128418

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7351TRPBF

Част запас: 111531

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA,

Списък с желания

IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L35AATMA1

Част запас: 128569

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9953TRPBF

Част запас: 182561

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

IPG20N04S412AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S412AATMA1

Част запас: 165975

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA,

Списък с желания

IPG20N10S4L22ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L22ATMA1

Част запас: 113849

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7329TRPBF

Част запас: 126207

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9389TRPBF

Част запас: 156541

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.8A, 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7306TR

Част запас: 84818

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9395MTRPBF

Част запас: 53923

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9910TRPBF

Част запас: 144138

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

Списък с желания

IPG20N04S4L07AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L07AATMA1

Част запас: 101318

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7905TRPBF

Част запас: 187870

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.8A, 8.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

Списък с желания

IPG20N06S2L50AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L50AATMA1

Част запас: 140292

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF9358TRPBF

Част запас: 160762

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

Списък с желания

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S461ATMA1

Част запас: 100256

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA,

Списък с желания

384

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»