Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 13

APT2X31D40J

Част запас: 4070

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT60D100LCTG

Част запас: 7231

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X30D20J

Част запас: 4061

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X60DQ100J

Част запас: 4327

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.8V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X31D30J

Част запас: 4123

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT15D40BCTG

Част запас: 21384

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X61D30J

Част запас: 3608

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT30S20BCTG

Част запас: 11061

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 45A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X60D100J

Част запас: 3002

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 55A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT60DQ100LCTG

Част запас: 10467

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X101DQ100J

Част запас: 2781

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT60D40LCTG

Част запас: 8028

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X61D40J

Част запас: 3276

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X100DQ120J

Част запас: 2629

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X30DQ120J

Част запас: 4008

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.1V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X61DQ120J

Част запас: 3039

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.1V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X101DL40J

Част запас: 2799

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.125V @ 100A, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT60S20B2CTG

Част запас: 7322

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 75A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X31D60J

Част запас: 309

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AA120G

Част запас: 1110

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 470A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AK60G

Част запас: 1164

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AA60G

Част запас: 1223

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AA170G

Част запас: 803

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1700V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 480A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 400A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400KK100G

Част запас: 1161

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AK20G

Част запас: 1158

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AK120G

Част запас: 930

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 470A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AK170G

Част запас: 896

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1700V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 480A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 400A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AA100G

Част запас: 1169

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400KK60G

Част запас: 812

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400KK120G

Част запас: 985

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 470A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AA20G

Част запас: 1188

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDF400AK100G

Част запас: 1141

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X31DQ120J

Част запас: 3273

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.1V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X51DC120J

Част запас: 650

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 50A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT30D120BCTG

Част запас: 8242

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X100D60J

Част запас: 2784

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания