Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

  • У дома
  •  
  • Диоди - Токоизправители - Масиви
APT2X31DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

Част запас: 3554

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.2V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT30D100BCTG
Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

Част запас: 9938

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT100S20LCTG
Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

Част запас: 5486

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X61S20J
Microsemi Corporation

APT2X61S20J

Част запас: 3006

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 75A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT60D60LCTG
Microsemi Corporation

APT60D60LCTG

Част запас: 6600

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X30D120J
Microsemi Corporation

APT2X30D120J

Част запас: 2852

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X101DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

Част запас: 2889

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.2V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X101DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

Част запас: 2486

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X61D60J
Microsemi Corporation

APT2X61D60J

Част запас: 3296

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT30DQ60BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

Част запас: 16694

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT30D100BHBG
Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

Част запас: 9481

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 18A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT40DQ60BCTG
Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

Част запас: 14431

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X101D20J
Microsemi Corporation

APT2X101D20J

Част запас: 2724

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT15DQ100BCTG
Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

Част запас: 17077

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X61DC120J
Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

Част запас: 553

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 60A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT30D20BCAG
Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

Част запас: 9782

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X101D60J
Microsemi Corporation

APT2X101D60J

Част запас: 2721

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT30D60BCTG
Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

Част запас: 10815

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X101D40J
Microsemi Corporation

APT2X101D40J

Част запас: 2756

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT30DQ60BHBG
Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

Част запас: 10044

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 30A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X31S20J
Microsemi Corporation

APT2X31S20J

Част запас: 3575

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 45A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT30D60BCAG
Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

Част запас: 9826

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 27A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X61D100J
Microsemi Corporation

APT2X61D100J

Част запас: 2817

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 55A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X61DC60J
Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

Част запас: 1099

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 60A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT2X60DC60J
Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

Част запас: 1122

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 60A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT30D60BHBG
Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

Част запас: 9889

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 27A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X51DC60J
Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

Част запас: 1272

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 50A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT2X41DC60J
Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

Част запас: 1054

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 40A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT2X31DC60J
Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

Част запас: 1723

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT2X30DC60J
Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

Част запас: 1813

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT2X101S20J
Microsemi Corporation

APT2X101S20J

Част запас: 2725

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT15DQ60BCTG
Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

Част запас: 20940

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X20DC60J
Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

Част запас: 1426

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT60DQ60BCTG
Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

Част запас: 11515

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
APT2X21DC120J
Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

Част запас: 1510

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания
APT2X60D30J
Microsemi Corporation

APT2X60D30J

Част запас: 4471

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания